三星减产 存储器封测族群可望Q2走出谷底

为了加快记忆体市场库存去化速度，上游原厂自去年第四季就已开始减产，虽然减产动作会延续到第二季，但随着生产链库存水位降低，及预期下半年终端需求走向复苏，业界预期减产策略可望逐步退场，包括中国台湾力成、南茂、华东、福懋科等存储器封测厂营运可望在第二季走出谷底。



受到全球通膨导致消费性电子需求疲弱影响，记忆体价格今年持续走跌，在美光、SK海力士、铠侠、南亚科、华邦电等业者陆续宣布减产后，迟迟未表态的三星终于在1月底法人说明会中松口，第一季已开始削减产能以因应当前危机。第二季DRAM及NAND Flash价格虽然续跌，但跌幅已较第一季缩减，显示减产对价格支撑已有初步成效。

记忆体上游原厂积极减产，对力成、南茂、华东、福懋科等记忆体封测厂而言，第一季营运出现明显下行压力。

力成今年前二月合并营收102.17亿元，较去年同期减少25.6％；南茂今年前二月合并营收27.67亿元，较去年同期减少36.7％；至于华东、福懋科前二月营收亦较去年同期明显下滑。

虽然第二季记忆体厂减产动作持续，但随着库存水位触顶后开始回落，且终端需求已见回升迹象，记忆体价格第二季虽然续跌，但跌幅已见缩小，下半年价格仍有下跌压力，价格却有机会止跌。同时，ChatGPT等人工智慧（AI）应用当红，云端及边缘AI装置拉动记忆体新需求，车用电子记忆体搭载容量明显拉高，均有助于下半年记忆体市场重回成长轨道。

由于记忆体投片到产出的前置时间约二～三个月，下半年制程将推进至新世代，包括1β奈米DRAM制程及200层以上3D NAND制程已开始进入量产，新制程转换初期会造成前置时间拉长及产能自然减损，所以在预期下半年记忆体拉货转强下，业界认为减产策略应会在第二季开始逐步退场，记忆体封测厂营运最坏情况可说已经过去。