美芯片法设「护栏」缓了近忧，三星、SK海力士国内厂仍有远虑

三星、SK海力士虽能暂时松口气，未来仍有许多潜在危机。法新社

美国《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act，下称芯片法案）护栏条款施行细则曝光后，三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）等韩国企业虽能在国内生产先进半导体，但国内厂仍将面临生产效率降低等潜在危机。

韩媒Chosun Biz引述韩国业界观点指，存储器业者主要以更新先进制程提升产能、提高收益，如果国内厂无法转换到最先进的制程，那存储器业者恐无必要扩充国内存储器产线。因此韩国政府虽获得国内半导体产能扩张空间，但半导体产能增幅无法超过5%，对韩国业者来说这条款的用处可能不大。

三星相关人士先前透露，三星国内西安厂的设备投资执行工作早已结束，一开始也无追加增设的规划。而SK海力士方面也曾表示，2019年扩充国内无锡厂后，投资便已告一段落，没有新的增设计划。

再细看美国明示的护栏条款施行细则，三星、SK海力士如获得美国半导体补贴，未来10年国内半导体先进制程产能扩充不得超过5%，但是三星、SK海力士在国内生产的半导体大多属先进制程，如三星在国内厂生产的3D NAND Flash，便属于高层数NAND产品，位在美国规范的先进制程之列。

无独有偶，电路线宽18纳米以下的DRAM也属于美国分类的先进制程产品，但目前业界主流DRAM产品均已领先18纳米，美国虽允许韩国企业可以持续在国内生产先进半导体，但国内半导体产能增幅限制恐为三星、SK海力士带来负面影响。

另外值得关注的是，美国曾在2022年10月宣布对国内半导体全面出口管制，其中一条更禁止晶圆制造商为国内厂进口先进设备，当时韩国业者在此规定中获得一年的缓冲期，预计到2023年10月美国将决定是否延长缓期。

在此前提下，假设三星、SK海力士引入新设备到国内厂，但最后美国政府却未延长缓期措施时，届时三星、SK海力士恐得面临无法使用先进设备的窘境，有监于此，三星、SK海力士在中厂投资方面多有顾虑，也尚未替国内厂引进新的先进制程设备。

就现况来说，三星、SK海力士旗下韩厂、中厂技术差距正逐步拉大。目前三星在韩国平泽厂生产200层NAND，SK海力士韩国利川厂则生产10纳米级DRAM，但由于未能将相关制程均未引进国内，国内厂生产效率开始明显不及韩国。

部分观点认为，三星、SK海力士或许将考虑转移国内厂至韩国或其他国家。韩媒Newsis也点出，从中长期角度来看，韩国半导体业者可能会撤出国内事业。不过从执行面来说，移动工厂并不容易，且工厂转移决策可能会影响中韩关系，另外加上美国政府限制，韩国也无法出售国内厂。

综上来看，三星、SK海力士虽能暂时松口气，未来仍有许多潜在危机，而针对脱中议题，三星、SK海力士立场也相当小心。

举例来说，2023年初三星曾透过财报电话会议方式透露，三星已花费许多时间稳定国内西安厂，并已进行许多投资，因此需要非常慎重地讨论（脱中议题），另外针对新生产据点议题，则将开放多项条件、可能性来讨论；而2022年SK海力士则透过电话会议指出，从中长期角度来看，分散生产据点必不可少。

责任编辑：陈至娴