欲破除外界质疑 三星举办3纳米GAA首批芯片交货式

三星电子(Samsung Electronics)赶超台积电动作频频，且为破除外界质疑声浪，先前宣布成功量产3纳米环绕式闸极(GAA)芯片后，相隔不到1个月又罕见举行3纳米GAA首批芯片交货典礼。三星方面则表示，未来将持续以领先的晶圆代工技术，强化事业竞争力。

据韩媒Money Today报导，三星于韩国华城园区V1厂，举行3纳米GAA制程首批芯片交货典礼，预计在华城园区量产3纳米GAA制程产品，之后或将把产线扩大至韩国平泽园区。据悉，三星于出货典礼公开的产品，将供应给多家IC设计企业。

Theelec、韩联社等韩媒消息指出，在3纳米GAA首批芯片交货典礼中，产业通商资源部(MOTIE)部长李昌洋、三星电子半导体暨装置解决方案部门(Device Solutions；DS)负责人庆桂显，以及三星合作公司、韩国IC设计企业CEO等，共100多人出席。

庆桂显于出货典礼中指出，FinFET晶体管达到技术极限时，三星成功提早开发出新替代方案的GAA技术，这是从无到有的创新成果。李昌洋则在祝词中表示，韩国政府将以日前发表的半导体战略为基础，全力支持民间投资、人才培育、技术开发，以及半导体产业链生态系培养等。

值得注意的是，三星如期举办3纳米GAA制程首批芯片交货仪式，被外界认为是三星欲破除业界质疑的手段。而三星晶圆代工事业部，技术开发室长郑基泰(音译)也于席间说明3纳米GAA技术开发、量产过程，并表示三星晶圆代工事业部、半导体研究所等部门透过合作，才能克服技术开发限制。

事实上，三星自2000年初展开GAA晶体管结构研究，并在2022年6月成功量产3纳米GAA技术产品，预计三星3纳米GAA制程将先应用于高效运算(HPC)领域中，之后再扩大用于主要客户、移动系统单芯片(SoC)产品等。

另一方面，三星3纳米GAA制程成功量产，也为韩国半导体企业带来新气象。如三星半导体设备合作业者Wonik IPS期待，与三星准备量产3纳米GAA制程芯片；而韩国IC设计企业Telechips则期盼，之后能以三星先进制程设计未来产品。

虽然三星此次以晶圆代工技术超车台积电，但3纳米GAA制程良率表现仍是业界关注焦点。业界相关人士认为，晶圆代工厂与IC设计业者的合作主要以信任为基础，除了技术竞争力之外，良率也需要跟上，方能稳固三星晶圆代工事业的市场地位。

责任编辑：范维君