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来源:第三代半导体风向发布时间:2023-03-311600浏览
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3月29日,东南大学对外发布了2023年3至12月的采购意向,其中涉及2款碳化硅相关设备,预算金额合计3000万元。
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根据公告,东南大学计划采购碳化硅外延炉与等离子深槽刻蚀机设备,预算金额各为1500万元:
●碳化硅外延炉
设备要求:1. 晶片尺寸兼容4&6英寸;2. 产能≥300片/月(以10μm厚计);3. 工艺温度1600℃~1650℃ 。
预计采购时间为5月。
●等离子深槽刻蚀机
设备要求:1. 最小刻蚀宽度0.8um,刻蚀深度1.5um;2. 刻蚀速率≥120nm/min ;3. 表面均一性≤±3%;4. 刻蚀角度80~89°可控 ;5. 表面粗糙度<0.5nm 1. 沟槽底部弧度圆滑,无刻蚀底角。
预计采购时间为5月。
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