英飞凌重金押注GaN，57亿收购GaN Systems

近日，芯片巨头英飞凌宣布以8．3亿美元现金（约合人民币57亿元）收购氮化镓全球技术领导者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工厂的氮化镓和碳化硅芯片的产能。

对此，英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56％的速度增长。

据了解，GaN Systems总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工，是为高密度和高可靠性电源转换应用 开发氮化镓 （GaN） 解决方案的领导者。通过收购 GaN Systems，英飞凌将扩大其现有的电源产品组合，并加快其内部氮化镓产品的开发步伐。

GaN是第三代半导体材料的典型代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。随着物联网、5G时代的到来，以GaN为代表的化合物半导体正在快速崛起。

在射频（RF）功率领域，GaN晶体管率先被人们开发出来并制造出商机。GaN的本质使耗尽型场效应晶体管（FET）得以发展。耗尽型（或D型）FET被称为假态高电子迁移率晶体管（pHEMT），是天然“导通”的器件；由于没有门极控制输入，存在一个自然的导通通道。门极输入信号控制通道的导通，并导通和关断该器件。

由于在开关应用中，通常“关断”的增强型（或E型）器件是首选，这导致了E型GaN器件的发展。首先是两个FET器件的级联。现在，标准的e型GaN器件已问世。它们可以在高达10兆赫兹频率下进行开关，功率达几十千瓦。

GaN器件被广泛用于无线设备中，作为频率高达100 GHz的功率放大器。一些主要的用例是蜂窝基站功率放大器、军用雷达、卫星发射器和通用射频放大。然而，由于高压（高达1000 V）、高温和快速开关，它们也被纳入各种开关电源应用，如DC－DC转换器、逆变器和电池充电器。此外，GaN也与新能源汽车、光伏、5G、消费快充等下游领域深度绑定。目前看来，全球巨头对于GaN的前景都十分看好。