美国应用材料公司发布EUV“低成本”图案化突破性技术！

美国应用材料公司（Applied Materials） 发布一项突破性的图案化 （patterning） 技术，可协助芯片制造商以更少的 EUV 微影步骤生产高性能的晶体管和内连布线 （interconnect wiring），从而降低先进芯片制程的成本、复杂性和环境影响性。

应材指出，为了优化芯片的面积和成本，愈来愈多客户运用极紫外光双重图案化技术 （EUV double-patterning），来转印比EUV分辨率极限更小的芯片特征（chip features）。藉由EUV双重图案化技术，芯片制造商可将高密度的图案分成两半，并产生两个符合EUV解析度极限的光罩。这两半图案在中间图案化薄膜上结合，然后蚀刻到晶圆上。虽然双重图案化能有效提高芯片特征的密度，然而这不但会提高设计和图案化的复杂性，也增加了消耗时间、能源、材料和水的制程步骤，造成晶圆厂和晶圆生产成本的增加。

应材强调，为协助芯片制造商在持续缩小设计之际，却不增加EUV双重图案化的成本、复杂性以及能源和材料消耗，应材与一流客户密切合作，开发了Centura Sculpta图案化系统。现在，芯片制造商可以转印单一的EUV图案，然后利用Sculpta系统在任何选定的方向拉长形状，以减少特征之间的空隙并提高图案的密度。由于最终图案是通过单一的光罩所产生，不但降低设计的成本和复杂性，也消除了双重图案化对齐错误所带来的良率风险。

应材进一步解释，采用EUV双重图案化需要增加一些制程步骤，一般包括CVD图案化薄膜沉积、CMP清洗、光阻剂沉积和移除、EUV微影、电子束量测、图案化薄膜蚀刻和晶圆清洗。对于它所取代的每个EUV双重图案化程序（sequence），Sculpta系统可以提供芯片制造商以下效益，包括每月10万片初制晶圆（wafer starts）的产能将可节省约2.5亿美元的资本成本、每片晶圆可节省约50美元的制造成本、每片晶圆可节约能源超过15千瓦时（kwh）、每片晶圆可直接减少约当0.35 公斤以上二氧化碳的温室气体排放、以及每片晶圆可节省约15公升的水等。

应材资深副总裁暨半导体产品事业群总经理Prabu Raja表示，新的Sculpta系统充分证明了材料工程的进步，可以补强EUV微影技术，协助芯片制造商优化芯片面积和成本，并解决先进芯片制程日益增加的经济和环境挑战。Sculpta 系统独特的图案成形技术，结合了应用材料公司在带状离子束 （ribbon beam） 和材料移除技术方面的深厚专业知识，为图案化工程师提供了突破性的创新工具。