英飞凌出手购并GaN Systems 宽能隙半导体趋势仍是对的

英飞凌出手购并GaN Systems，更完整统包Si、SiC、GaN功率半导体的庞大版图。符世旻摄

继日前电动车（EV）龙头特斯拉（Tesla）抛出新平台拟减用75%碳化矽（SiC）功率元件使用量的震撼弹后，功率半导体业界再掀波澜，车用功率半导体IDM「大哥」英飞凌（Infineon）宣布，将斥资8.3亿美元购并GaN Systems，强化氮化镓（GaN）战力。

延伸报导Tesla传砍SiC元件75%需求 台功率半导体释三点分析
GaN Systems 是氮化镓功率半导体解决方案的全球技术领导者，总部位于加拿大渥太华，拥有200多名员工。

英飞凌表示，透过这次购并，将巩固英飞凌在矽基半导体与碳化矽、氮化镓的宽能隙半导体的领导地位。2家公司已签署最终协议，英飞凌将以8.3亿美元的价格收购 GaN Systems。

在双方的共同新闻稿中，英飞凌全球CEOJochen Hanebeck表示，GaN技术正在为支持更为节能减碳的解决方案铺路。在移动充电、数据中心电源、住宅太阳能逆变器、电动车、车载充电器（OBC）等应用中的应用正处于转捩点，带来强劲的市场成长动能。

基于业界领先的研发资源、应用知识和客户合作计划，收购GaN Systems计划将加快英飞凌发展GaN的路线图。透过这次的合并，英飞凌将掌握所有相关电源技术，加强在电源系统领域的领导地位，无论是在矽、碳化矽或氮化镓应用上。

GaN Systems 全球CEO Jim Witham 表示，GaN Systems 团队很荣幸能与英飞凌合作，在互补优势的基础上创造高度差异化的客户产品，将以最佳方式利用氮化镓的潜力。后续将GaN Systems在晶圆代工方面的布局，与英飞凌的内部制造能力相结合，将实现最大的成长动能，提供实时服务，在更广泛的目标市场中加速GaN的应用落地。

市场预估，到2027年，氮化镓市场将以56%的年复合增长率（CAGR）增长至约 20 亿美元。氮化镓正在成为功率半导体的关键材料，与矽和碳化矽并驾齐驱。

2022年2月，英飞凌投资超过20亿欧元在马来西亚居林（Kulim, Malaysia）新建一座前段工厂，以加倍扩大宽能隙半导体产能，巩固其市场地位，第一批晶圆预计于2024年下半出货。

此收购计划以全现金交易方式进行，该交易须遵守惯例成交条件，包括主管机关的批准。

责任编辑：张兴民