没发补贴先要钱！美国芯片法案提出“六大义务”

来源:芯师爷发布时间:2023-03-021454浏览

美东时间周二，美国商务部在官网发布了《成功的愿景：商业制造设施》、《资金机会-商业制造设施情况表：芯片项目办公室启动资金机会通知》、《融资机会通知（NOFO）芯片激励计划》等一系列文件，标志着527亿美元芯片产业补贴的申请流程即将启动。

图源：《融资机会通知（NOFO）芯片激励计划》

根据美国去年通过的《芯片与科学法案》，将提供527亿美元的联邦资金用于振兴美国半导体产业，其中包括390亿美元的半导体建厂/扩建激励措施、132亿美元用于研发和劳动力发展、以及5亿美元用于加强全球供应链。

在这次公布的系列文件中，其芯片项目办公室公布了三个补贴机会，在详细介绍首次补贴的申请细则外，共对申请者提出六大“义务”要求，并呐喊出美国芯片的五大“世纪野望”。

01三个补贴机会

美国商务部公示文件显示，除此次公布的“与半导体制造相关的首次补贴”外，芯片项目办公室预计将发布两个额外的补贴机会：一个用于2023年春季末的半导体材料和制造设备设施，另一个用于2023年秋季的研发设施。

图源：美国《芯片与科学法案》

其中，最新公布的半导体制造设施的激励申请，从3月31日起，开始接受前沿设施的预申请和完整申请；从5月1日起，开始接受当前一代、成熟节点和后端生产设施的预申请，并从6月26日起开始接受完整申请。

美国商务部透露，具体的补贴将将以直接资金（通过赠款、合作协议或其他交易）、联邦贷款或债务担保的形式发放。具体补贴的比例仍需要根据个案进行评估。不过美国商务部在指引中也提及，各项补贴加起来预计不会超过项目整体开支的35%，大多数项目的直接现金补贴会落在资本支出的5%-15%之间。

流程上看，申请共分5个阶段：项目简要介绍、项目预申请（为可选步骤）、完整申请（包含项目的详细信息，双方将拟定一份不具约束力的初步条款备忘录协议）、尽职调查、补贴的准备与发放。

补贴对象上，首次补贴计划将面向四类半导体制造设施：

前沿设施：逻辑芯片方面，目前包括使用EUV光刻工具生产高容量半导体的设备；存储器方面，目前包括能够生产200层及以上的3D NAND闪存芯片，（和/或）13nm及以下的DRAM芯片。
当前一代节点的设施：28纳米的工艺技术，包括逻辑、模拟、射频和混合信号芯片；采用前沿技术设备进行当代节点的制造，以及新技术和特殊技术，如基于化合物半导体材料的设备。
成熟节点设施：不基于FinFET、post-FinFET晶体管结构或任何其他28nm晶体管结构；离散半导体器件，如二极管和晶体管；光电子和光学半导体；传感器。
组装、测试、封装等后端生产设施：特别面向确保在美国国内具有竞争力的运营项目（如自动化）。