深化SiC布局，蓉矽半导体与台湾汉磊签订长期战略合作协议

近日，成都蓉矽半导体有限公司（下称“蓉矽半导体”）与台湾汉磊科技股份有限公司（下称“汉磊科技”）签订长期战略合作协议，进一步深化了双方在碳化硅SiC制造方面的合作关系。

根据协议，汉磊科技将向蓉矽半导体开放 SiC 工艺平台并将其代工产品优先级列为第一等级。这有力加强了蓉矽半导体供应链保障，促进了碳化硅SiC功率半导体器件的快速发展，从而得以满足日益增长的市场需求，为客户创造更多价值。

据悉，汉磊科技成立于1985年，是全球第一家Linear Bipolar IC专业代工厂，具备化合物半导体氮化镓 (GaN) 及碳化硅 (SiC)专业代工能力，拥有1座 4/5英寸晶圆厂、2座 6英寸晶圆厂。

其中，4英寸月产能为1000 pcs、5英寸月产能为8000 pcs，6英寸月产能分别为17 000 pcs和33 000 pcs。

2021年4月，汉磊宣布投资50亿新台币，全力发展氮化镓和碳化硅外延和器件代工。公司预计2023年化合物半导体营收比重将突破5成。

蓉矽半导体成立于2019年12月，是四川省首家专注于宽禁带半导体碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业。该公司以车规级碳化硅功率半导体设计开发为主，建立了从原材料、外延、晶圆制造与封装测试全环节符合IATF16949质量管理标准的完整供应链。

2022年6月底，发布其自主开发碳化硅NovuSiC® EJBS™二极管系列产品。

2022年8月，公司完成Pre-A轮融资，由维度资本领投，陕西三元航科投资基金合伙企业（有限合伙）、南京泰华股权投资管理中心（有限合伙）等机构跟投。

2022年9月，公司发布了第一代碳化硅NovuSiC® MOSFET G1。NovuSiC®1200V/75mΩ MOSFET在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，可以提高系统整体功率密度，降低系统总成本，在新能源汽车、直流充电桩、光伏系统等领域表现亮眼。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

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