“复旦系”碳化硅项目获突破，清纯半导体研发基地启用

2月3日，“复旦大学宁波研究院重大产业化项目-清纯半导体研发基地启用仪式”成功举办。

据了解，项目总面积4600平米，建设四大实验平台：一楼建设器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台；三楼建设可靠性及应用平台；四楼建设器件测试及老化平台。

Source：清纯半导体

实验室总规划面积超2500平米，配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，平台总投入近亿元，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。

清纯半导体成立于2021年3月，是一家聚焦于碳化硅(SiC)功率芯片的高科技设计公司，专业从事高端SiC功率器件的研发与产业化，于12月完成由高瓴创投领投的数亿元首轮融资。

公司拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺团队，核心团队从事SiC工艺和器件20余年，研发和产业化多代SiC功率器件，并通过车规级测试。

成立以来，清纯半导体突破不断。先后推出国内首款15V驱动SiC MOSFET及国内最低导通电阻SiC MOSFET，并通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB测试。

当下，以碳化硅为代表的第三代半导体产业正在迎来爆发。据TrendForce集邦咨询研究，为进一步提升电动汽车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC功率元件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。

随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，TrendForce集邦咨询预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。（文：化合物半导体市场 Doris整理）

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