韩国首家专业SiC外延片供应商实现量产

资料显示，Arche成立于2014年，专注于研发生产SiC材料，供应半导体设备厂商。据悉，Arche采用爱思强（Aixtron SE）生产的G4 MOCVD蒸镀设备，还引进了其新的G5蒸镀设备，预计3月份完成建设。在完成对相关设备的爬坡及良率稳定工作后，预计从今年第四季度开始正式量产相关产品。

众所周知，SiC设备、衬底及外延材料是SiC产业链前端非常关键、且技术门槛较高的环节，目前仍有许多技术难题需要攻克，是各国第三代半导体产业重点攻关的方向。

本次Arche成功量产SiC外延片，意味着韩国第三代半导体产业的发展又向前迈出了一步。此外，在SiC关键设备领域，韩国去年也取得了重要进展：韩国ESTech成功实现SiC晶锭生长设备的国产化。

在GaN领域，韩国企业也在不断发力GaN功率半导体市场，着眼于8英寸GaN衬底、外延、器件等更高端的领域，旨在抢占GaN在电动汽车等高功率应用市场的商机。例如，东部高科去年计划在硅基GaN上生产8英寸半导体元件；IVWorks去年收购了法国Saint-Gobain的GaN晶圆业务，计划在高功率应用领域供应GaN-on-GaN外延片，对打SiC材料，抢攻电动汽车市场。

企业之外，韩国政府也持续加大对第三代半导体领域的投资，近年来推出了不少利好政策，支持韩国第三代半导体产业的发展壮大。

去年，为应对SiC、GaN、GaO等迅速增长的全球功率半导体市场，韩国推出了由其国内半导体企业、大学、研究所等组成的“新一代晶体工程部”，目标是开发以SiC为基础的国产功率半导体生态系统，还将培育与SiC半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展，成立SiC产业联盟。

据悉，韩国SiC产业联盟包括LX Semiconductor、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半导体企业。其中，LX Semiconductor负责开发SiC半导体，SK siltron公司负责开发SiC衬底，Hana Materials和STI将共同开发SiC半导体零件和设备技术。光云大学、嘉泉大学和韩国国民大学则支援SiC半导体研究开发基础设施，由国家纳米材料研究所和韩国陶瓷工程技术研究所支援技术。

韩国政府壮大第三代半导体产业的决心由此可见一斑，从企业的进展来看，韩国也逐渐在第三代半导体核心环节取得突破，逐步缩短与欧美日等国家的距离。接下来，各国之间在第三代半导体领域的角逐也将日趋激烈，全球市场格局未来或将生变。（文：化合物半导体市场 Jenny整理）

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