第三代半导体应用起飞，厂商争相扩产！

昨日，汉磊暨嘉晶董事长徐建华在法人说明会上表示，今年是第三代化合物半导体应用起飞元年，将积极扩产因应强劲需求。

其中，汉磊将在未来2到3年投资0.8～1.0亿美元，增加6吋碳化硅（SiC）产能达5～7倍，氮化镓（GaN）月产能明年倍增至2,000片。

嘉晶预计将投入5,000万美元扩产，将SiC基板产能扩增7～8倍，GaN基板产能计划提高2～2.5倍。

汉磊及嘉晶今年持续获得功率半导体、SiC以及GaN等第三代半导体等晶圆代工以及基板订单，第四季产能满载。

Source：工商时报

徐建华表示，今年对汉磊或嘉晶而言，都是第三代半导体应用的起飞元年，其中，太阳光变频器今年需求上升，未来将逐步拉高SiC采用，至于电动车亦带动需求，期许汉磊及嘉晶的SiC及GaN新产能持续开出之后，能带动营收及获利持续成长。

徐建华表示，汉磊及嘉晶持续投资第三代半导体领域，进而迎接爆发性成长商机。嘉晶在基期低的基础会扩大投资建置新产能，汉磊则以既有产能产线进行优化。