总投资约26.8亿元，国创越摩先进封装项目竣工

集微网消息，12月30日，国创越摩先进封装项目竣工仪式在湖南株洲举行。

据悉，国创越摩先进封装项目规划用地220亩，总投资约26.8亿元。项目计划建设100级、1000级及万级无尘车间共5.5万平方米，配套用房2.2万平方米。项目包括5G射频滤波器晶圆级封装线（WLCSP）和射频前端模块系统级封装线（SiP）各一条。

官方消息显示，该项目投产后可实现5G滤波器国产化封测产线零的突破，同时依托领先的晶圆级封装和系统级封装服务，吸引优质上下游企业集聚株洲，着力将株洲打造成5G射频芯片及模块先进封装供应链中心。

湖南越摩先进半导体有限公司由兴橙资本、株洲国投集团及技术团队合资建设。其面向高性能芯片和高密度封装应用领域，具有领先的封装方案开发能力、优秀的设计仿真能力、极具竞争力的加工交付能力，是业内拥有高密度系统级一体化先进封装技术的高科技公司。（校对/赵碧莹）