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今天！台积电宣布3nm工艺正式量产，良率与5nm相当 - icspec 资讯

今天！台积电宣布3nm工艺正式量产，良率与5nm相当

来源:今日半导体发布时间:2022-12-292141浏览

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来源：IT之家

12 月 29 日消息，台积电今日上午在台南科学园区举办 3 纳米量产暨扩厂典礼，正式宣布启动 3 纳米大规模生产。台积电董事长刘德音，以及包括ASML在内超过200个合作伙伴和供应商出席。该园区的Fab18是5nm和3nm芯片的生产基地，其中5至9期厂房负责生产3nm芯片。

过去一年多里，台积电不断修改3nm制程节点的蓝图，将陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后续还会有优化后的N3S制程，可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在3nm制程节点仍使用FinFET（鳍式场效应晶体管），不过可以使用FINFLEX技术，扩展了工艺的性能、功率和密度范围，允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项，进一步提升PPA（功率、性能、面积）。

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据台媒中央社报道，台积电董事长刘德音表示，晶圆 18 厂是台积电 5 纳米及 3 纳米生产重镇，总投资金额将达 1.86 万亿新台币（约 4222.2 亿元人民币），预计将创造 1.13 万个直接高科技工作机会。

台积电董事长刘德音：3nm 需求非常强劲，是世界上最先进的半导体技术

另据台湾地区经济日报报道，刘德音称 3 纳米制程良率与 5 纳米量产时的良率相当，是世界最先进的半导体技术，应用于云端、高速网络及行动装置，市场需求非常强劲。

据刘德音介绍，与 5 纳米相比，3 纳米制程的逻辑密度增加 60%，在相同速度下，功耗降低 30% 至 35%。预计 3 纳米量产后对营收的贡献会大于同期的 5 纳米贡献，3 纳米量产 5 年内将释放 1.5 万亿美元（约 10.47 万亿元人民币）终端产品价值。

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