国内英诺赛科 GaN 出货量破亿 加速建设产能

氮化镓（GaN）应用领域扩大，国内不少厂商看好市场前景，纷纷跟进。李建梁摄

以碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三类半导体在国内《十四五规划和2035年远景目标纲要》当中被列为重点。其中SiC是电动车与充电基础设施的宠儿。相较之下，GaN则由快充功率市场，以及通讯基站射频所驱动。不过现在GaN也正不断辐射到新能源产业领域，被愈来愈多大厂和新贵玩家所注意。

英诺赛科GaN跑出加速度

英诺赛科近期表示，其8寸矽基GaN高电子移动速度晶体管（HEMT）元件的出货量已突破1亿，显示产品受到市场验证与肯定，具有里程碑意义。

英诺赛科拥有全球最大的8寸矽基氮化镓晶圆的生产能力，产品涵盖30V～650V的氮化镓功率元件，被广泛应用在激光雷达（LiDAR）、数据中心、5G通讯、充电，以及LED灯照明驱动等领域。

2017年底，英诺赛科成功建立全球首条8寸氮化镓产线。2019年开始，其8寸晶圆产线大规模生产，并于2021年成为全球首家量产8寸矽基GaN的企业，产能足以支撑全球市场对GaN FETs的强劲需求。

官网显示，英诺赛科8寸矽基氮化镓的产能已达到每月1万片，并将逐渐扩大至每月7万片以上。其中，珠海生产基地具备4,000片的月产能，苏州月产能则为6,000片。

而在电动汽车应用方面，英诺赛科珠海工厂已通过汽车认证，预计将在2024年生产用于汽车应用的8寸矽基GaN元件。英诺赛科也打入车载激光雷达产品禾赛科技的供应链，携手国内及韩国的Tier 1厂，共同研发GaN车用项目。

GaN应用领域扩大 众厂跟进

GaN作为一种宽能隙材料，能够提供与SiC相似的优势，且更能够降低成本。业界认为，在未来数年间，GaN功率元件的成本可望压低到和金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）及整流器同等价格。

此外，GaN电力电子元件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的矽基半导体IC制程兼容，在电力转换与管理系统、电动摩托车、工业电机等领域有发展潜力，有助实现碳中和。

正是这些独特的优势，促使相关企业投入GaN，国内企业也正积极布局GaN项目。其中基板以苏州纳维、东莞中镓为代表。磊晶有苏州晶湛半导体。海特高新则代工氮化镓晶圆生产。南芯半导体跨足快充控制。

功率元件方面则有英诺赛科、三安光电等。海威华芯则在GaN-on-Sic HEMT射频制程上具有优势。另如矽立杰、晶丰明源、艾为电子、芯朋微、力芯微等皆在快充市场有所涉猎。

近期赛微电子也表示，其GaN团队在材料和元件方面均有所突破，已具备6~8寸GaN磊晶材料生产能力；在GaN元件方面也有所升级，并已开始销售。

赛微电子的聚能国际6~8寸矽基氮化镓功率器件半导体制造项目于2021年4月展开投资，建设资金达人民币10亿元。一期建成投产后每月5,000片产能，二期建成投产后则可达每月1.2万片。

不过，赛微电子也表示，目前关键问题仍是产能供应端受限，接下来不仅会继续与海内外GaN代工厂合作、加速推动山东GaN产线的建设，也会筹备旗下子公司融资工作。

晶湛半导体则已成为国内氮化镓磊晶领头羊企业，近日也宣布完成C轮融资。官方数据显示，晶湛半导体已建成国内规模领先的GaN磊晶材料研发和生产基地，将继续扩大研发和技术投入，加速推进GaN在汽车等领域的应用。

GaN技术逐步打开电动汽车、太阳能、智能电网、工业电源等领域的应用大门，国内各厂将持续扩大产能与客户群，盼进一步提升市场占有率。

责任编辑：毛履万亿