10亿！长光华芯子公司拟建先进化合物半导体光电子平台

据公告，项目计划投资额10亿元，计划建设总建筑面积约46,293平方米的生产中心、研发中心和动力站及配套设施，项目计划2023年开工，2025年建成投产，本项目预计年产值不低于6亿元。

据悉，该项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括6-8英寸器件封测生产线建设)。

长光华芯成立于2012年3月，是半导体激光行业的垂直整合厂商，专注于半导体激光芯片、器件及模块等的研发、制造及销售，公司曾获华为哈勃投资。

目前，与苏州高新区政府共建了苏州半导体激光创新研究院为平台，现已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等。

产能方面，目前长光华芯拥有砷化镓、磷化铟和氮化镓三大材料体系，2英寸GaN激光器研发能力以及3英寸磷化铟和6英寸砷化镓激光器的生产线。

今年8月，苏州长光华芯半导体研究院项目完工启用。预计项目投用后，长光华芯的高功率半导体激光芯片量产规模进一步扩大，生产产能将提升5-10倍。

业绩方面，2022年前三季度，公司实现营业总收入3.17亿元，同比下降0.35%；归母净利润9487.81万元，同比增长22.66。

值得注意的是，今年11月，苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”在苏州长光华芯正式揭牌成立。

12月，长光华芯顺利通过IATF16949:2016质量管理体系认证，为公司扩展汽车激光雷达市场奠定了基础。（文：化合物半导体市场 Doris整理）

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