长光华芯拟投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台项目，计划2023年开工

12月27日，长光华芯发布公告称，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司（以下简称“研究院”）与苏州科技城管理委员会签订项目投资合作协议，拟在太湖科学城新建先进化合物半导体光电子平台项目。

根据公告，本项目计划投资额10亿元，计划建设总建筑面积约46,293平方米的生产中心、研发中心和动力站及配套设施，项目计划2023年开工，2025年建成投产，本项目预计年产值不低于6亿元。该项目将依法依规得到苏州科技城管理委员会及各级政府政策支持，将依法依规尽快完成办理各项手续。

先进化合物半导体光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器件封测生产线建设）。

研究院成立于2018年3月，注册资本为5500万元人民币，经营范围包括光电器件及系统的研发、开发、封装、销售;并提供相关技术咨询及技术服务等。

长光华芯表示，本次投资的项目内容有利于提升公司的产品供应能力，进一步巩固和扩大公司的市场份额；有利于完善公司光电子产业链布局；有利于公司与地方政府实现优势互补、互惠。公司拟进行的项目建设将增加公司资本开支和现金支出，但对公司长期的业务布局和经营业绩具有积极影响，符合公司整体战略发展规划。本协议签署不会导致公司主营业务、经营范围发生变化，对公司独立性没有影响。

长光华芯主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与3D传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售，产品广泛应用于工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等。

长光华芯表示，公司已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。

同日，长光华芯在投资者互动平台表示，公司是综合性激光半导体公司，有三大材料体系（砷化镓、磷化铟、氮化镓），边发射和面发射两种芯片结构，覆盖的波段450nm-2000nm可见光和近红外，以及特殊领域应用的波段。主要产品高功率半导体激光芯片、VCSEL（激光雷达芯片）等，光通信芯片也是公司的一个品类，公司近期会发布该领域新产品。

今年8月，长光华芯与苏州高新区建立苏州半导体激光创新研究院，该研究院拥有3英寸磷化铟和6英寸砷化镓激光器的生产线。

而氮化镓激光器，是第三代半导体光电器件中极具技术难度和产业高度的关键产品，在激光显示、材料加工、光刻直写等诸多领域都有巨大的应用优势，目前在国内还属空白。

据苏州高新区发布消息，近期，苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所共建的“氮化镓激光器联合实验室”刚刚揭牌。中科院苏州纳米所已在国内率先研制出氮化镓蓝光和绿光激光器。

封面图片来源：拍信网