总投资116亿元！西安又落户一百亿级GaN第三代半导体项目......

近日，西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司在北京签订战略合作框架协议，总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。

图片来源：西咸新区泾河新城据了解，氮化镓（GaN）作为研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，在光电子、激光器、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔发展前景。西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目将以第三代化合物半导体材料氮化镓为核心内容，建立第三代化合物半导体研发中心，开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后，可实现年产值500亿元，实现年上缴税收约25亿元。同时，将进一步带动相关上下游产业链配套企业入驻，全力助推氮化镓电子器件和高端光电器件等在泾河新城实现“中国智造”。以此次签约为标志，泾河新城将在产业布局上形成光伏、新能源新材料、半导体芯片三大产业鼎足之势。据悉，该项目除主体方江西誉鸿锦材料科技有限公司外，国内知名基金管理公司天石基金管理（深圳）有限公司也将进行注资。
来源：华商网 华商报记者 郑凌媛
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