三星先进制程不缺席 3纳米美国厂就近抢食台积电订单

综合SemiWiki、All About Circuits等报导，无论是率先全球导入EUV曝光机台量产，抑或是领先半导体产业、采用GAA晶体管架构投产3纳米制程，三星朝向晶圆代工领导地位迈进的企图，不言可喻。

三星甫于2022年6月底宣布量产第一代3纳米GAA(gate-all-around)制程，预计第二代3纳米GAA制程将从2024年量产，据Semi Wiki数据显示，三星德州泰勒(Taylor)新厂完工后，也将导入3纳米制程量产芯片，借此与聚焦在14纳米、28纳米、45与65纳米节点等中端与成熟制程的奥斯汀(Austin)晶圆厂有所区隔。

三星先前在晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum)会议上表示，尽管2023上半年将会历经库存修正，但展望到2027未来5年间，晶圆代工市场将观察到非常稳健的增长动能，估计全球晶圆代工产业复合年增率(CAGR)上看12%。

尤有甚者，三星认为7纳米以下先进制程未来5年的CAGR更高达21%，可望助攻三星晶圆代工业绩达到2027年营收260亿美元目标，而德州泰勒厂届时将扮演吸引美系客户投片的重要产能。在此之前，三星先进制程多在韩国器兴、华城园区投产，奥斯汀晶圆厂此前并未导入10纳米以下先进制程量产。

对三星而言，FinFET时代已经逐渐告终，未来的研发多聚焦在GAA架构。三星曾在10纳米、7纳米以及5/4纳米时代，均未能取得苹果青睐，如今重押3纳米GAA制程，扩建德州泰勒晶圆厂，凸显就近抢食美系客户投片之意。

面对台积电已宣布2022年第4季起量产3纳米FinFET制程节点，且包括苹果、英特尔(Intel)均是台积电3纳米投片大户，高通(Qualcomm)尽管在4纳米时代Snapdragon 8 Gen 1 Plus转投台积电，但日前传出高通仍将考虑投片三星3纳米GAA方案，可说是三星晶圆代工3纳米的重要伙伴。

尽管高通并未在三星第一代3纳米量产时试水投片，反而由国内矿机ASIC芯片供应商盘矽半导体(PanSemi)抢头香，有监于GAA架构芯片量产良率仍待时日改善，预计高通也是以此推估，传出有意投片三星第二代3纳米GAA方案，此外，博通(Broadcom)也传出有意试水三星第二代3纳米方案。

至于NVDIA与超微(AMD)虽说也有可能在三星3纳米投片，但前者吃过三星8纳米制程良率欠佳的大亏，后来转而RTX 40系列由台积电4纳米奥援；超微长期倚靠台积电先进制程产能助力，持续蚕食英特尔市占率，预计仍以投片台积电为优先考量。