三星拟靠3纳米反攻 2024年将成关键转捩年

传三星企图于美国泰勒新厂，导入第二代3纳米制程，抢夺失去的大客户订单。三星

三星电子(Samsung Electronics)与台积电的晶圆代工竞争愈演愈烈，先前三星由于5/4纳米良率低落，在与台积电的订单争抢上吃足苦头。

然而，韩媒指三星正在准备一场反攻大计，将2024年视为重要转捩年。

据ChosunBiz报导，三星与台积电的先进制程之争激烈，传三星先前虽吃足苦头，但是随着良率获得改善，正在密谋一项计划，打算从台积电手中，夺回重要客户高通(Qualcomm)、NVIDIA等。

传三星拟定一项综合计划，2024年导入第二代3纳米GAP(GAA-Plus)制程的同时，让美国刚好稼动的泰勒(Taylor)新厂采用，吸引主要客户回流三星，重现8年前「双轨制」战略。

2014年三星14纳米FinFET超车台积电，当时三星一方面开发14纳米FinFET制程，同时对德州奥斯汀(Austin)厂，投资11万亿韩元(约85亿美元)扩建设备。2014年之前，三星德州奥斯汀厂为65纳米~28纳米制程，传三星高层为了拿下高通Snapdragon移动应用处理器(AP)订单，认为导入最先进制程，将有望与当地业者扩大合作。

事后证明该策略奏效，三星不但接获高通14纳米AP订单，之后也拿到NVIDIA等订单。

韩媒指出，三星目前正在德州泰勒市，斥资170亿美元建厂， 2023年建物完工后，设备将于2023年下半搬入，预计2024年投产。这项大规模投资，不仅是为了最新技术，扩产也有助于三星赢得更多订单。

韩国业界消息指出，三星内部决定，一旦3纳米GAP制程稳定后，2024年便会将导入美国泰勒新厂，并派遣技术人员，与高通、NVIDIA等大客户展开合作。

三星2022年6月底，率先宣布量产第一代3纳米GAE(GAA-Early)制程，由于采GAA而非FinFET，被认为技术进展领先台积电。三星先前公布2024年量产GAP制程，为第一代3纳米制程的升级版。

韩国业界认为，三星打算将最新制程导入美国新厂，目的在于瞄准美国客户，伺机夺回失去的大客户订单，此与三星2014年采取的战略类似。

另一方面，美国当地时间12月6日，台积电亚利桑那州新厂将举行上机典礼，美国总统拜登(Joe Biden)、台积电创始人张忠谋、董事长刘德音、总裁魏哲家等，政界与业界重量级人士皆会出席，到时也许会有更具体的宣布。

彭博(Bloomberg)日前引述消息人士说法，指出在苹果(Apple)等美国客户要求下，台积电这座新厂2024年左右投产后，可能会提供更先进的4纳米制程。报导称除了苹果，超微(AMD)、NVIDIA等皆要求台积电「升级」亚利桑那州新厂制程。

责任编辑：张兴民