泛林收购SEMSYSCO,强化下一代基板和异构封装几技术开发

对SEMSYSCO的收购扩大了泛林集团的封装产品系列。新的产品组合拥有创新的、针对小芯片间或小芯片和基板间异构集成的清洗和电镀能力，包括支持扇出型面板级封装这样的颠覆性工艺。在这种工艺中，芯片或小芯片是从几倍于传统硅晶圆尺寸的大型矩形基板片上切割下来的。这种方法将助力芯片制造商显著提高良率并减少损耗。

• MEMS有望在汽车、物联网、5G、智能家居等市场获得更广泛的应用。

• 此外，MEMS 和 MEMS 制造技术有望在实现元宇宙方面发挥关键作用。

1. 利用 Lam 的领先技术来实现 MEMS 工艺能力

2. 应对 MEMS 和传感器客户的高价值挑战

3. 成为 MEMS 和传感器开发及工艺优化的合作伙伴

• 此外，Lam 还积极投资于新材料的开发、生产工具的使用寿命延长以及 200-300 毫米的可扩展性。

• 随着极紫外 (EUV) 光刻技术的出现，现在可以对 3 纳米及以后最困难的特征进行图案化。

• 因此，EUV 已成为图案化最新节点的行业选择，因为它提高了尺寸分辨率并简化了图案化和加工。

• 193i光刻需要不同的集成技术，例如自对准双重图形化（SADP）和自对准四重图形化（SAQP）、cut-block、材料创新、设计技术协同优化（DTCO）、自对准图形化， 和别的。

• 图案化规格在 3nm 非常具有挑战性，工艺接近物理边界。在 EUV 处理过程中，良率会受到不必要的变化和随机引起的缺陷的影响，从而产生意外的线边缘粗糙度 (LER)、线宽粗糙度 (LWR) 和边缘放置错误 (EPE)。

• 结合这些问题，必须共同优化光刻、图案化和下游工艺，以获得可接受的产量和成本结果。

• 材料创新、整体图案化、集成、制造控制和 DTCO 在 3nm 及以下将继续需要，即使使用 EUV 光刻也是如此。

• 通过结合 EUV 干式光刻胶技术、先进的工艺模型、整体图案化和共同优化的集成，Ervin 说 EUV 光刻应该能够扩展到 3nm 甚至更高。