免责声明：文章归作者所有，转载仅为分享和学习使用，不做任何商业用途！内容如有侵权，请联系本部删除！（手机微信同号15800497114）来源： 微纳米人
昨日（11月23日），希科半导体（苏州）有限公司在苏州纳米城III期召开碳化硅（SiC）外延片投产发布会。据了解，该产品日前通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室的双重检测，具备媲美国际大厂SiC外延片的品质，解决了国外产品的卡脖子问题，为我国碳化硅行业创下了一个毫无争议的新纪录。
苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾，阳澄湖半岛旅游度假区管委会副主任蒋云，苏州纳米科技发展有限公司董事长、总裁张淑梅，中国电子材料协会副理事长袁桐，冶金自动化研究研究院教授级高级工程师高达等相关单位领导和行业专家出席仪式。
倪乾表示，希科半导体碳化硅外延片正式投产必将为园区第三代半导体产业注入更加强劲的发展动力。当前，园区正以建设世界一流高科技园区为目标，以建设苏州实验室、国家第三代半导体技术创新中心等重大创新载体为抓手，全面学习贯彻党的二十大精神，坚持科技是第一生产力、人才是第一资源、创新是第一动力，全力打造国际一流的第三代半导体产业创新集群。长期以来，园区高度重视半导体产业发展，积极探索并出台相应政策支撑产业做大做强，继续加大在半导体产业方面的支持力度。园区将持续营造一流的创新创业生态，不断提升政策体系、人才供给、产业生态，更高水平促进创新链、产业链、资金链、人才链、服务链深度融合，做好企业有求必应的“店小二”，全面支持包括希科半导体在内的优秀企业加速成长。
希科半导体董事长兼总经理吕立平介绍，过去一年，公司购买的国产外延炉调试成功，完成了合格产品的生产，同时量测机台方面也在国内找到了相应的替代机型，填补了行业空白。目前公司已经实现了工艺设备、量测机台、关键原材料三位一体的国产化，完全、干净、彻底的解决了碳化硅外延片产品生产的难题，把碳化硅外延片生产的供应链真正做到了不再受制于国外约束；也为我国碳化硅行业开辟了一个新途径，创下了一个新纪录。
现场还举行了投资签约仪式，助力公司技术研发和产业化加速推进。
希科半导体成立于2021年8月，坐落于苏州纳米城III区第三代半导体产业园，是一家致力于发展第三代半导体碳化硅(SiC)材料的高科技公司。作为苏州纳米城引入的第三代半导体重要项目，其团队拥有多年的碳化硅外延晶片(SiC Epitaxy)开发和量产制造经验，凭借业内最先进的外延工艺技术和最先进的测试表征设备，秉持质量第一诚信为本的理念为客户提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的6吋n型和p型掺杂外延晶片材料，是国内最早从事SiC技术研发和产业化的技术人才，拥有多项发明专利和实用新型专利。
6英寸碳化硅外延晶片当前，半导体设备成为中国高科技产业国产化的“卡脖子”环节之一，如何实现关键技术突破，加速国产化替代进程，成为近年来中国半导体行业面临的重要课题，此次希科半导体在SiC外延片上实现纯国产研发方面的突破性进展，有力提升了国内企业振兴国产半导体产业的信心，也意味着我国第三代半导体产业链综合实力的进一步提升。
作为园区发展第三代半导体产业的主阵地，苏州纳米城同时聚焦微纳制造、纳米功能材料、纳米大健康等领域，目前入驻企业达500家，涌现上市企业5家、国家高新技术企业107家，引进院士团队超10个，培育市级以上高端人才超250人，构建了完善的产业生态环境。当前，苏州纳米城正在积极推动国家第三代半导体技术创新中心的建设，布局第三代半导体技术相关的专业载体、产业基金、公共平台，全力助推希科半导体等一批优质企业高质量发展。
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