晶湛总部大楼封顶！目标国内规模最大GaN外延材料生产基地

根据苏州纳米科技发展有限公司官方消息，11月5日，晶湛半导体总部大楼建设项目封顶仪式在苏州工业园区纳米城隆重举行。

据悉，晶湛半导体总部项目位于苏州工业园区纳米城。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产，厂房占地面积超10000平方米，总建筑面积超2.34万平方米。

产能方面，2021年11月，苏州工业园区管理委员会公示了晶湛半导体新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。该报告显示，本次项目建成后可年产氮化镓外延片24万片。其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器件。

苏州纳米科技发展有限公司指出，预期项目建成后，将成为国内规模最大的GaN电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地，进一步提高我国在第三代半导体核心关键材料上的竞争优势。

Source：晶湛半导体总部项目效果图

据了解，晶湛半导体成立于2012年，公司聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产，是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商。

近年来，晶湛半导体加速开展技术攻关和产品迭代，并接连取得突破性成果。2014年底，晶湛半导体率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内氮化镓产业的空白；2021年9月，晶湛半导体又成功在全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了业内广泛关注。