国产液相法6吋SiC即将送样，良率75%

来源:第三代半导体风向发布时间:2022-11-081297浏览

昨天，国内一家功率器件TOP 10上市企业对外投资了一家SiC液相法晶体企业，投资金额2500万元，据称，该企业将在2025年推出8英寸SiC。11月7日，无锡新洁能发布对外投资公告，他们近期与常州臻晶半导体有限公司等共同签署《关于常州臻晶半导体有限公司之增资协议》，以自有资金人民币2500万元认购常州臻晶22.9592万股。

根据公告，本次增资后，新洁能将持有常州臻晶11.1111%的股权。

据悉，常州臻晶是一家专业从事SiC液相法晶体研发、生产和销售的企业，该公司采用液相法生长的P型衬底，良率可从50%提高到75%，长晶效率可提升2-5倍，大幅降低碳化硅衬底成本。该公司主营产品为6-8英寸碳化硅衬底，目前产品尚在研发阶段，计划于2024年9月实现产业化，其产品布局主要包括：

6-8英寸n型碳化硅衬底，主要应用领域为新能源汽车、光伏、储能等；
6-8英寸p型碳化硅衬底，主要应用领域为高压场景，如轨道交通、特高压输电等；
6-8英寸半绝缘碳化硅衬底，主要应用领域为5G通讯等。

该公司6英寸产品预计于2023年下半年（6-9月）向客户送样，已与目标客户达成相关意向；8英寸产品预计2025年推出。

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无锡新洁能表示，投资常州臻晶有利于他们在碳化硅等化合物半导体领域的话语权与核心竞争力，而他们也一直加紧在SiC领域的布局：2021年11月，新洁能拟非公开发行股票，募资不超过14.5亿元，用于建设碳化硅和氮化镓产业化等项目；截至今年1月，新洁能一厂区的SiC SBD设计产能为691.2万颗/年、SiC MOSFET为134.4万颗/年。目前他们正在计划扩产，在二厂区新增碳化硅和氮化镓项目。▲ “SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”项目该项目总投资约2.23亿元，2022年开建，2024年建设完成；项目建成后，年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。▲ “SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块的研发及产业化”项目该项总投资约5.08亿元，项目建设期为36个月，将年产362.6万只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）。

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