15亿、14万片！这条SiC线即将通线？

近日，士兰微发布公告，透露了6吋SiC项目新进展——总投资15亿元，年产能高达14万片。据了解，该项目即将在今年三季度通线。

此外，中车、华润微、斯达等传统IGBT大企业也在涌入碳化硅赛道，他们的布局详情请接着往下看。

15亿、超14万片

士兰微建SiC器件线

10月14日晚，士兰微披露2022年度非公开发行A股股票预案，宣布拟定增募资不超过65亿元，用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。其中，SiC功率器件生产线建设项目总投资为15亿元，拟投入募资资金为7.5亿元，项目建设期为3年。

据悉，该项目实施主体为士兰明镓，将在现有芯片生产线及配套设施的基础上，通过购置生产设备提升SiC功率器件芯片的产能，用于生产6吋SiC MOSFET、SiC SBD 芯片产品；项目达产后，将新增SiC MOSFET芯片12万片/年、SiC SBD芯片2.4万片/年的生产能力。士兰微此前表示，他们的6吋SiC功率器件芯片生产线预计在今年三季度实现通线。据“行家说三代半”此前报道，士兰微SiC功率器件中试线已在2021年二季度实现通线，目前已完成车规级SiC MOSFET器件的研发，正在做全面的可靠性评估，将要送客户评价并开始量产。

中车、斯达、翠展微等

硅IGBT企业布局碳化硅

新能源汽车采用碳化硅方案综合成本将比IGBT更低，因此，不少传统硅IGBT企业纷纷加紧布局碳化硅，实现硅基功率器件和碳化硅技术“2条腿走路”。除士兰微外，中车时代、斯达半导体、华润微、翠展微及比亚迪半导体等均有碳化硅相关的项目布局。●中车时代今年4月，株洲中车时代电气股份有限公司发布公告称，控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设工期为24个月。预计项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线1万片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线2.5万片/年。●斯达半导体2021年6月，斯达半导体发布公告称，将为4个项目募资35亿元，其中，与碳化硅相关的项目有2个，包括“SiC芯片研发及产业化”和“功率半导体模块生产线自动化改造项目”，合计金额为12亿元。●华润微2020年7月，华润微6吋SiC生产线宣布量产，规划产能为1000片/月。2021年12月发布了SiC MOSFET 和新一代SiC JBS Gen2。与此同时，华润微电子着手扩建SiC产能，2021年底他们刚添置多台SiC设备，同时又发布招标公告采购SiC相关设备。●比亚迪半导体2021年6月，比亚迪半导体上市申请获得受理，计划投资31亿元建设3个项目，其中包括建设SiC晶圆生产线。该项目总投资超过7.3亿，年产能达到24万片。比亚迪半导体表示，本项目将以宁波半导体作为实施主体，将在宁波厂房建设SiC功率半导体晶圆制造产线，项目建成后，公司将拥有月产2万片SiC晶圆制造产能，项目建设期为5年。●翠展微10月10日，翠展微旗下SiC模块获头部客户整车项目定点；此外，他们的HPD封装SiC模块也已经和客户紧密配合，预计本月底将获得新的整车项目定点。同时他们还表示，他们将在2023年投资一条SiC器件产线，以增加公司的量产交付能力，并加速拓展新的客户。

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