车规级！国内2条产线量产SiC MOS

来源:第三代半导体风向发布时间:2022-09-303180浏览

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今年以来，国产SiC MOSFET进展喜人——蓉矽发布SiC MOSFET，同时SiC MOSFET在“国内造”方面也有新“喜讯”：

今天，瞻芯宣布无锡产线自主完成了6英寸SiC MOSFET流片，工艺平台正式打通；
芯塔：采用国内代工线量产SiC MOSFET，实现了从衬底材料到代工的“完全国产化“。

此外，SiC外延设备国产替代也在加速，北方华创、48所等都实现了设备批量交付，详情接着往下看。

瞻芯完成SiCMOS流片

芯塔实现“全国产化”

9月30日下午，瞻芯电子官微宣布，他们自建的车规级SiC晶圆厂自主完成了首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片，产品参数达到设计要求，良率指标正常，标志着6英寸SiC MOSFET工艺平台正式打通。

据悉，早在2022年8月瞻芯就打通了6英寸SiC SBD工艺平台。2022年7月22日，瞻芯电子SiC晶圆厂正式投片，这次打通SiC MOSFET工艺平台仅用一个半月时间。

此外，就在上个月，芯塔电子正式宣布推出新一代 SiC MOSFET，据介绍，该器件是“完全国产化”——材料、设计、代工等环节均在国内完成，并形成了自主专利，避开了国外的专利限制。

北方华创等外延设备批量出货

希科将建30万片外延片项目

外延设备对SiC器件的性能和成本影响巨大，对国内SiC产业的发展起到非常关键的作用。今年，SiC外延设备的国产化进程也在加快：

希科半导体

9月29日，希科半导体官微宣布，他们的6英寸SiC外延片已双重检测，检测结果显示可以与国际大厂的相媲美。值得一提的是，他们并非采用进口设备，而是利用国产衬底及外延设备研发。

据“行家说三代半”此前报道，他们拟投资7620万元，在苏州工业园区建设项目，年研发碳化硅衬底外延片 5000 片。而在今年5月的“第三代半导体产业发展与资本助力对接会”上，希科半导体表示，他们正在筹建另一个碳化硅项目——一期总投资超过2.5亿，计划产能达到10万片/年；二期建设规模达到30万片/年。

北方华创订单超100台

据北方华创官网9月9日介绍，他们在SiC装备领域布局广泛，各类装备均在国内主流生产线实现规模应用，其中，SiC长晶炉累计订单数量超2000台，4/6吋SiC外延炉累计订单数超100台，批量机台已在各大主流外延厂实现稳定量产。

北方华创已正式参编《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，届时将披露北方华创的技术、产品、项目等细节。此外，安海半导体、森国科、烁科晶体、合盛硅业、中电化合物、北方华创、国星光电、恒普科技等企业也联袂参编。

中电科批量出货

9月26日，中电科48所官微发布消息，他们的SiC外延装备已批量发往客户，发货现场举行了简单而隆重的仪式。

中电科48所表示，此次设备批量发货推进研究所快速实现第三代半导体装备产业化重大突破，他们已连续获批量订单。

纳设签订数十台订单

今年7月，纳设智能与国内龙头碳化硅外延厂商签订了数十台复购订单，目前该升级版第二代产品机已正式交付客户，还未能透露订购方企业名称。

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