科友半导体宣布取得新突破

而单颗晶体厚度的提升，意味着晶棒有效厚度和单颗晶体产出衬底数量的增加，这对于提高企业生产效率、降低生产成本、提升行业竞争力具有极其重要的意义和作用。据悉，科友半导体此次将碳化硅晶体的厚度提升到40.45毫米，是继今年6月份突破32毫米后，科友半导体在长晶厚度上取得的又一次重大突破。

Source：科友半导体

据悉，科友半导体一直致力于半导体晶体材料，特别是第三代半导体材料的装备设计开发、关键工艺技术研发及科研成果产业化工作。

产能方面，8月18日，由科友半导体与哈尔滨新区共同投资建设的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投用。该项目总投资10亿元，目前已安装100台长晶炉，预计年底全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。

按照发展规划，未来两年科友半导体将实现年产20~30万片碳化硅衬底的产能，成为全球碳化硅衬底重要供应商之一。