这家厂商开发1200V垂直GaN功率器件，正在冲刺IPO

9月14日，专注于开发GaN高压垂直功率开关器件企业OdysseySemiconductor Technologies Inc宣布其垂直GaN FETs实现了1200V的目标。目前，Odyssey正在应用这项技术，并计划在第四季度开发样品用于内部评估和客户评估，预计将持续到2023年第一季度。

资料显示，Odyssey成立于2019年，总部位于美国纽约州伊萨卡（Ithaca, New York），在垂直GaN功率器件领域拥有专业知识和相关专利。2019年10月，Odyssey收购了一家晶圆厂，化合物半导体器件年产能超过1万片。

Odyssey介绍，其专有的垂直GaN器件适用于高压电机、太阳能电池板和电动汽车中的下一代800V电池组等电源开关应用。Odyssey声称，相比Si、SiC及水平GaN，其垂直GaN技术可为应用场景的性能带来更显著的提升。

最近，Odyssey取得的进展还包括：稳步推进计划在Q4开发的第一代650V、1200V功率器件样品；验证了650V、1200V功率器件的品质因数；验证了大规模量产器件的工艺，目前该工艺正用于生产样品；获得三家客户对于评估验证GaN功率器件样品的承诺。

另值得注意的是，这家GaN器件厂商目前正在冲刺IPO。根据今年2月消息显示，Odyssey Semiconductor向美国证券交易委员会提交注册声明，拟登陆纳斯达克。

2021年，Odyssey实现收入约为75万美元，主要来自代工服务。2022年上半年，Odyssey实现营收50,519美元，其中，Q2营收为20,581美元。Odyssey预计，第三季度营收将增长至195,000美元。