台积电将于2024年取得high-NA EUV 或用于2nm工艺量产

集微网消息，台积电研究发展资深副总经理米玉杰透露，将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备（high-NA EUV），为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。

不过，台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。据悉，这款新型EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化。

据媒体报道，台积电的目标是2025年量产其N2工艺，而现阶段主要是其他N3工艺的产量和良品率，这被认为是世界上最先进的芯片制造技术之一。随着英特尔Meteor Lake延期，以及N3工艺的效能未让苹果满意，台积电很可能放弃N3工艺，将重点转移到明年量产的N3E工艺，这属于第二版3nm制程。

与3nm制程节点不同，2nm制程节点将使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，台积电称相比3nm工艺会有10%到15%的性能提升，还可以将功耗降低25%到30%。预计N2工艺于2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批芯片。

（校对/李梅）