新兴领域存储芯片需求旺盛，东芯半导体携“芯”使命大有可为

集微网报道，8月16日至17日，2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）在南京隆重举行。会上，东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊发表了名为《开启芯时代，本土存储“芯”使命》的主题演讲，分别从存储“芯”时代、赛道前景以及本土存储“芯”使命三方面进行解读，并对该公司在存储芯片方面取得的进展及相关布局和举措做了详尽概述。

东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊

目前，随着全球半导体市场持续高速増长，IC设计业正在引领中国半导体产业发展。陈磊认为，在这一背景下，新兴领域存储芯片需求旺盛，产品性能要求不断提高。对此，东芯半导体等国内存储企业正在多年攻坚的基础上迎头追赶，向更高制程和更大、更全容量产品不断推进和迭代，并打造出具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。

中国半导体市场产销两旺 存储芯片需求强劲

在半导体市场需求旺盛的引领下，全球半导体市场高速増长。陈磊首先概述道，根据WSTS统计，2021年全球半导体销售额达到5559亿美元，同比增长26.2%。中国是最大的半导体市场，2021年的销售额总额为1925亿美元，同比増长27.1%。而今年中国半导体市场仍将延续较为强劲的增长态势。

不过，陈磊指出，在进口额大于出口额背景下，国产替代需求强劲，一定程度呈现“产销两旺”的发展局面。2021年，中国集成电路进口6354.8亿块，同比增长16.9%；进口金额4325.5亿美元，同比增长23.6%。同时，中国集成电路出口3107亿块，同比增长19.6%；出口金额1537.9亿美元，同比增长32%。

对于当前半导体产业发展形势，陈磊进一步指出，中国IC设计业规模逐年增长，而且正在引领整个产业链发展。据中国半导体行业协会(CSIA)公布的数据，2021年中国集成电路产业销售额为10458.3亿元。同期，中国IC设计业的销售规模为4519亿元，同比增长19.6%，占产业链比重已达43.2%，高于晶圆代工和封装测试业。

当然，半导体产业的快速发展势必得益于国家有利政策的扶持。自20214年来，国家相继推出了“大基金”一期和二期、《中国制造2025》以及《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》等等，聚焦产业链布局投资，大力支持集成电路产业。对此，陈磊认为，要紧跟国家战略，在国产化替代趋势下抓住行业契机。

在这一“芯”时代背景下，陈磊认为，“新兴领域存储芯片需求旺盛，产品性能要求不断提高。目前，5G、汽车电子、人工智能、物联网和大数据中心等新兴领域的快速发展，将大大带动存储芯片的市场需求。与此同时，精进工艺制程、提升产品可靠性、缩小封装尺寸等也已经成为存储芯片领域的切实发展需求。”

存储芯片赛道方兴未艾 国内企业大有可为

鉴于存储芯片赛道方兴未艾以及部分国际厂商在行业占据垄断地位，国内存储企业正在多年攻坚的基础上迎头追赶、大有可为。而在这一过程中，陈磊表示，东芯半导体的发展宗旨是“为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案”。

他介绍道，作为Fabless芯片企业，东芯聚焦中小容量NAND Flash、NOR Flash、 DRAM的设计、生产和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。他还称，公司的技术和产品等实力已获多方认可，因而于2021年12月10日实现登陆科创板。

在重点聚焦自主研发同时，东芯半导体不断引进先进技术水平。陈磊介绍道，“2015年至2021年间，通过与中芯国际、力积电和武汉新芯等代工厂商合作及引进先进工艺，东芯半导体实现了存储产品的快速升级，包括65nm NOR Flash迭代至大容量48nm NOR Flash，38nm 1Gb SPI NAND Flash迭代至1xnm SPI NAND Flash，以及63nm 1Gb LPDDR1迭代至38nnm PSRAM和25nm LPDDR4X。”

而在持续追赶国际领先工艺过程中，东芯半导体已构建丰富的六大产品系列，包括SPI NAND，PPI NAND，SPI N0R，MCP，DDR3(L)和LPDDR1/2等，并且已广泛应用于网络通信、智能硬件应用、可穿戴设备、移动终端、安防监控、物联网、医疗健康、工业控制和汽车电子等各大领域。

其中，“东芯半导体的SPI NAND采用28nm国内领先制程，以及单颗粒芯片设计的串行通信方案，在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，具备高传输速度、高可靠性。而PPI NAND采用国内领先的24nm制程，属于高可靠性的工业+级别，可支持的工作温度达105摄氏度，已达到国际先进水平。”陈磊表示。

此外，东芯半导体还搭建稳定的供应链体系。陈磊介绍称，得益于全国产化产业链支持，东芯不仅构建了覆盖产品设计、晶圆代工和封装测试的一站式解决方案，还不断强化了定制化服务能力，满足客户对存储芯片的特定需求，进而打造出具有“本土深度、全球广度”的供应链体系，同时拥有自主清晰的知识产权。

践行本土存储“芯”使命 力争上游、负重致远

在当前国际地缘环境和产业发展形势下，陈磊认为，本土存储芯片企业也有着全新的“芯”使命——为国产存储事业添加砖瓦、力争上游、负重致远，乃至打破部分国际厂商的市场垄断地位。而为了践行这一使命，东芯半导体付诸了诸多攻坚探索和战略举措。

首先，不断加大研发投入及赋能自主创芯。据陈磊介绍，2021年，东芯实现营收11.34亿元，归母净利润2.62亿元。这样的亮眼业绩得益于其持续扩充研发团队（2021年拥有研发与技术人员87人，占总人数 47.28%，同比增加29.85%）；全面升级研发平台和培训体系，深入研究用户需求；大力推进产品结构优化，加大高附加值产品和差异化定制产品的比重等。

其次，持续优化技术和产品性能。近年来，“东芯半导体重点布局具备增长潜力的技术和产品，向更高制程和大、全容量不断推进，有效提升各方合作效率，并为国产先进存储芯片提供有力保障。其中重要措施包括积极布局车规级闪存、存算一体化芯片DTR NAND等高附加值和前瞻性产品，开发前沿技术和建设研发中心，以及与中芯国际合作开发Ixnm NAND Flash 芯片等。”陈磊表示。

例如东芯半导体与中芯国际深度合作，基于SMIC19nmT艺平台，在2021年下半年完成了SLC NAND Flash首颗流片；为满足多样化的终端需求，基于SMIC24nm工艺平台，实现新产品最大至32Gb产品设计流片，以及1Gb至32Gb系列产品设计研发的全覆盖。此外，东芯正大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力和可靠性等方面要求更高的车规级存储芯片，以实现该产品产业化目标。

另外，提升及强化产品品质管控。“为此，东芯采取的措施包括设有专人管理质量体系，针对关键工艺细节管控及关键原材料把关，整合各方资源优化整体制造环境等。”陈磊认为，正因如此，东芯半导体得以建立起一些产品的核心技术优势。例如其SPI NAND Flash的串行通信方案采用业内领先的单颗集成技术；内置8比特ECC技术，通过先进的ECC技术提高产品可靠性；内置高速SPI接口技术，通过闪存工艺实现SPI接口的集成。

再者，建设知识产权的保护“围栏”。截至2021年12月31日，东芯半导体持有发明专利78项；持有软件著作权13项；持有集成电路布图保护登记48项。经过多年研发探索和耕耘建设，东芯半导体目前已获得多项高水平奖项和荣誉肯定。其中包括“第七届中国电子信息博览会创新奖“，“上海市高新技术企业” ，“上海市科技小巨人培育企业“，“2021年度最佳存储芯片”以及“2021年度IP0卓越新星IC设计企业”等等。