美《芯片法案》说清楚讲明白 中美二选一？何谓成熟制程？

美国众议院议长裴洛西(Nancy Pelosi)在国会大厦签署晶片与科学法案(CHIPS and Science Act 2022)。法新社

美国众议院日前通过晶片与科学法案(CHIPS and Science Act 2022)，补助半导体晶圆厂扩产新建的520亿美元联邦补贴，终于获得国会授权拨款，而在美国国会图书馆(Library of Congress)网站揭露的待签法案(enrolled bill)细节里，清楚揭示取得补助的业者，不得在中国或任何其他不友善地区，进行实质性扩产投资(material expansion)，仅列出除外条款(exceptions)可以允许业者赴中国投资扩产。

对于在中国设有晶圆厂的台积电、三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等台韩业者，以及在中国经营封测厂的英特尔(Intel)、美光(Micron)等美系业者，已先后透露申领美国联邦补助、挹注在美新建扩产晶圆厂之意。

台韩半导体业者在中国设厂状况

台积电近年微缩制程量产时间

三星V-NAND量产大事纪

究竟除外条款有哪些？涉及除外条款的先进制程与成熟制程定义为何？在长达10年的补助期间，赴中投资的限制是否一成不变？还是与时俱进？在法案规定当中，是否隐藏着让业者必须再三考虑的陷阱？以下将分别讨论。

投资中国OK 不过有但书

在这项编号HR 4346简称晶片法案(CHIPS Act)攸关520亿美元的拨款规定里，开宗明义禁止(prohibition)受补贴业者在未来10年间、赴中国投资扩产半导体制造产能；但若是用于成熟制程晶片、在中国既有厂房或设备的投资，以及大规模投资成熟制程晶片，主要服务中国当地市场需求者，则不在此限。

这意味着，包括台积电南京厂、松江厂，三星西安厂，SK海力士无锡厂、大连厂，以及美光、英特尔位于西安、上海、成都厂等既有厂房与设备，在未来10年仍有继续投资扩产的机会，甚或台韩美系半导体制造商未来在中国新建厂房的可能性也存在。

只不过，拨款法案虽然给出了回旋空间，但无论是否服务于中国市场需求，还是有部分产品出口海外市场，关键仍在于「成熟制程晶片」(legacy semiconductor process)的定义为何？这是厂商获得美方许可、赴中投资的判准要素。

「成熟制程」判定由商务部说了算

美国国会在讨论晶片法案过程中，不少参众议员屡屡提出应该大幅设限赴中国投资，反映出晶片法案补贴拨款，着意要与中国脱勾的初衷。而在拨款条件上，更强调来自美国纳税人的联邦补贴，绝不能用于替中国半导体产业扩张作嫁，因此最后限定只有「成熟制程晶片」许可赴中国投资，至于先进制程则一律禁止。

而在界定成熟制程晶片时，现阶段在逻辑晶片领域，以28奈米(含)制程以上划归成熟制程，但由于三星、SK海力士、美光、英特尔等目前在中国营运的记忆体厂与封装厂、均不属于前段晶圆厂设施，因此攸关记忆体技术、类比技术、封装技术等，关于成熟制程的认定，则交由美国商务部部长，协同国防部长、国家情报总监商议后决定。

如此一来，以现阶段而言，台积电即便向美国申领联邦补贴，挹注亚利桑那州凤凰城晶圆厂Fab 21兴建，也能继续营运无虞在中国南京、松江厂的28奈米制程产线。至于三星、SK海力士、英特尔、美光赴中国投资认定，仍有待商务部拍板。

然关于台积电在中国16奈米制程产线，未来10年在取得美国政府补贴后，即便是扩增既有晶圆厂的产能或升级设备，都必须向美国归还补贴资金，而这个处罚(penalty)恐怕还只是小事，其外溢效应恐怕才是大麻烦，这点容后讨论。

记忆体「成熟制程」如何认定？

目前仍在西安生产3D NAND的三星，在大连、无锡生产NAND与DRAM的SK海力士，以及在上海、成都、西安等地设有CPU与DRAM封测厂的英特尔与美光，在取得美国联邦政府补贴后，头上也与台积电一样，戴上赴中国投资扩产的紧箍咒。

不过，相较于攸关逻辑晶片前段晶圆制造领域的成熟制程晶片，现阶段以28奈米(含)制程以上节点为限，记忆体晶片、封测甚至类比晶片等领域，将如何认定许可赴中投资的「成熟制程」，仍有待商务部拍板。

但以三星为例，截至2021年底，各大原厂的主力制程仍在96层与128层，预计176层的产能占比，可望从5%进一步提升至2022年上看25%以上。尽管三星在3D NAND的先进制程推进，稍晚于美光、SK海力士均已量产176层NAND，该公司透过新闻稿正式公布的V-NAND量产时程，仍停留在128层。

值得注意的是，有鉴于中国第一大NAND原厂长江存储业已推进到128层量产稳定阶段，更摩拳擦掌企图迈向192层，日前路透(Reuters)引述多达4位消息人士透露，美国政府传出正考虑限制美系设备商供货在中国的记忆体业者，此举虽指向锋头渐显的长江存储128层NAND量产推进，但恐将殃及也在中国设厂的三星与SK海力士。

有鉴于美国政府似乎有力阻长江存储迈向128层(含)以上继续推进之意，假设商务部随后认定3D NAND以128层为「先进制程」，那么受到波及的三星以及接受英特尔大连晶圆厂的SK海力士，是否只能在中国设立96层(含)以下或将被认定为「成熟制程」的NAND产线？

由于大连厂业已推进到144层量产，虽然目前还不清楚三星在西安厂导入哪一世代NAND产线，但未来假使取得美国政府补贴后，三星与SK海力士均只能被补贴紧箍咒限制在中国量产96层NAND，恐怕在成本效益上，难与美光竞争。

尤其美光甫于日前宣布232层NAND业已量产出货，紧追的SK海力士也随后宣布238层预计2023年量产，未来韩厂若是要在中国继续经营NAND产线，取得美国政府补贴的紧箍咒，恐将迫使其与美系业者的竞争力，愈拉愈开。中国市场商机与在中国产线经营，究竟会让韩厂做出何种抉择？

厂商赴中投资有无回旋余地？

以逻辑晶片为例，台积电是否还有机会在中国厂导入16奈米节点量产？可能性的确存在，由于晶片法案为了确保前述限制，与半导体产业发展与美国出口管制法规保持同步，国会要求商务部长协同国防部长和国家情报总监，在参酌产业建议后，必须定期重新考量，究竟哪些技术受此禁令约束。

在拜登(Joe Biden)总统签署立法执行开始，美国商务部长必须要在2年内、采纳业界意见，重新界定「成熟制程」定义，然后公示于众，这也意味着，当半导体业界未来2年迈向3/2奈米最尖端先进制程成功量产后，14/16奈米节点仍有机会，被法案补贴执行单位认定为「成熟制程」，只不过，现阶段仍在禁止之列。

同样的情况也适用于记忆体业者，假使96层NAND被商务部认定为现阶段「许可」赴中投资扩产的判准，未来2年后放宽为许可128层NAND赴中国扩产，仍有可能。更新判准的前提，仍在于半导体产业的技术推进，在未来10年间补助期间，美国商务部长必须每2年检讨一次，公示于众。

只不过，即便中国营收贡献台积电10%占比，那贡献三星、SK海力士等韩厂上看3成的中国营收，真能接受中国产线采不利成本效益的「成熟制程」投产吗？尤其在景气不佳的日子里，成本就是企业实现获利的锱铢必较，且看韩厂如何抉择？

值得注意的是，晶片法案提出的投资中国但书条款，一来以「成熟制程」紧箍咒限制了取得补贴厂商赴中投资的技术导入，另一方面，表面上虽然以收回补贴金额作为厂商踩红线的处罚，但日经亚洲评论(Nikkei Asia)报导指出，厂商不仅被要求在中美对抗态势下选边站，美国国会「许可」业者得以赴中国投资成熟制程的「例外条款」，与其说是从业者角度考量，倒不如说是权衡之后、认清产业现实面，尽可能减少美国利益受损的妥协。