8吋碳化硅似乎是最近的“热门议题”，前几天，LPE开发8吋SiC外延工艺，近日，日本住友也宣布要量产8吋SiC了，据悉投产后月产能高达1万片。
住友8吋SiC线开建2024年3月完工
7月22日，住友金属矿业株式会社宣布，其子公司Sicoxs将开建新的8吋SiC生产线，预计2024年3月完工；预计2025年加上现有的6吋SiC生产线，月产能合计达1万片。
据介绍，此次的8吋生产线是基于Sicoxs独特的衬底制造技术“SiCkrest®”建设的，该技术将SiC单晶衬底键合在SiC多晶衬底上，这样既可以减少SiC单晶衬底的使用量，又可以获得与单晶衬底相同的器件特性，低电阻和高强度“一举两得”。
简单来说，“SiCkrest®”是将一块单晶衬底制作出多片1微米或更薄的衬底，据悉通过该技术可以降低50%的SiC单晶衬底成本。
住友表示，Sicoxs于2017年开始推进6英寸SiCkrest®量产示范线的建设，并向部分客户进行销售，此次8英寸开发线的引入将有助于尽早满足客户对大直径衬底的要求。
Sicoxs成立于2012年6月，主要由来自 Hoya公司的 SiC 晶圆工程师组成，Hoya是于 2000 年 12 月首次开发出单晶立方 SiC 衬底，其技术和专利助力Sicoxs开发出SiCkrest®技术；2017年10月，住友金属收购了Sicoxs 51%的股权。
Soitec8吋SiC明年也将量产
除住友外，拥有同类型技术的法国Soitec在8吋碳化硅上也有新进展。
今年5月初，Soitec发布了首款8吋SmartSiC衬底，以满足汽车和工业市场不断增长的需求。
据悉，该8吋碳化硅衬底将基于Smart Cut™技术，生产自Soitec在格勒诺布尔CEA-Leti的衬底创新中心试验线，或于2023年下半年在法国伯宁新的碳化硅衬底工厂Bernin 4实现量产。
Smart Cut™技术是Soitec的“独门技术”，通过使用多晶碳化硅衬底，来提高单晶供体碳化硅衬底的重复使用率、良率、性能。Smart Cut SiC可将碳化硅衬底的电阻率降低至少4倍，电阻率的显著降低可以使SiC MOSFET尺寸缩小5-15%。
新闻来源：第三代半导体风向，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
