法建厂进度较快 格芯CEO：纽约新厂拖延因美补助迟未过

美国参议院19日通过一项程序性投票，为推进美国联邦政府提供逾520亿美元美国半导体补助奠定有力基础。于此之际，格芯(GlobalFoundries)CEOTom Caulfield表示，如果未来几周未能通过支持美国芯片产业的法案，格芯计划在美国纽约州北部兴建新晶圆厂的时程将可能延后。

Caulfield指出，如果美国半导体补贴在2021年就通过立法，格芯可能会更早推进纽约州建厂，而不是将注意力转向法国、以及扩建新加坡工厂。如果不是美国半导体补贴立法延迟，Caulfield称格芯可能不得不将在法国设厂事宜延后进行，因为格芯无法同时顾及3个建厂事宜。不过有别于在法国，格芯在美国别无选择。

根据路透(Reuters)以及彭博(Bloomberg)报导，美国参议院19日最终以64票对上34票的程序性投票，通过一项提供超过520亿美元半导体产业补助与税务减免的精简版立法，这为7月底在美国参议院及众议院通过立法的表决奠定基础。

美国参议院在进行程序投票前，没有公布这项立法的最终内容，但参议院助理透露，该立法包含约540亿美元对美国半导体公司的补助、以及一项为期4年的全新25%税收抵免，以促进业者在美国建厂。该税收抵免预估达约240亿美元。

格芯2021年表示，将在其位于纽约州马耳他(Malta)总部兴建第二座晶圆厂。Caulfield受访表示，如果要尽快兴建这座新晶圆厂，格芯需要美国政府的共同投资。格芯有良好的自由现金流，但格芯必须建立资产负债表才能进行这些投资。

针对在法国与意法半导体(STMicroelectronics)合作兴建新晶圆厂，Caulfield称该厂的谈判从2022年初开始进行，由于法国政府在提供补贴上进度迅速，因此约6个月后就达成这项建厂合作。

责任编辑：张兴民