美光日本广岛新厂开工，斥巨资扩充HBM内存产能

据彭博社及日本NHK等媒体报道，美光科技于7月4日在日本广岛县举办了新工厂的奠基仪式。该扩建项目总预算高达1.5万亿日元（约人民币630.20亿元），折合93亿美元（约人民币631.05亿元），核心目标是扩大高带宽内存（HBM）的生产规模。为支持该项目，日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元（约人民币210.07亿元）的资金补贴。在此之前，日本政府累计向美光拨付的补助金额已达到7750亿日元（约人民币325.60亿元）。

在技术与产品规划方面，新建的DRAM生产设施将主要用于制造人工智能芯片所需的高带宽内存。相关生产设备的运输和安装工作预计在2028年下半年启动。美光执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）透露，公司不仅正在研发继“1γ（Gamma）”之后的下一代“1δ（Delta）”先进制程产品，还计划在该厂生产HBM4E等新一代高带宽内存。这些新产能的落地，将有效提升自动驾驶和AI服务相关芯片的传输及能效表现。

针对此次扩建，日本经济产业相赤泽亮正表示，美光是目前日本本土唯一的DRAM制造商，政府对其提供支持具有重要战略意义。随着AI时代的到来，半导体需求将大幅增长，在日本本土构建稳定的DRAM等芯片供应链至关重要。他同时强调，日本已做好准备，将采取一切可行措施协助其他有意在日建厂的海外芯片企业。事实上，自2021年起，日本已投入数百亿美元扶持AI与半导体产业。据相关规划，日本目标是在2041年3月前，通过公私合营模式向芯片和AI领域注入101.6万亿日元（约人民币42685.27亿元）的投资。

美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在仪式上指出，美光的首片HBM晶圆便是在广岛工厂生产的，当前全球存储芯片的需求正经历前所未有的增长。美光日本公司代表董事野坂耕太则补充道，广岛工厂具备向客户快速交付高性能先进产品的优势，且目前该厂使用的半导体材料中约有80%采购自日本本土，这与公司的整体战略高度契合。

在全球产能布局方面，美光正同步推进美国本土的扩产计划。该公司不仅在美国爱达荷州博伊西市建设两座先进晶圆厂，还计划于2026年1月在纽约州锡拉丘兹附近启动一座投资额达1000亿美元（约人民币6785.46亿元）的新工厂奠基。与此同时，韩国的SK海力士与三星电子等竞争对手也在积极提升其存储芯片的整体产能。

注：按1日元≈0.0420人民币、1美元≈6.7855人民币计算。