EPC推出具有最高功率密度和效率的100V耐辐射晶体管

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的100 V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，进一步为这个产品系列添加第五个成员。

EPC公司宣布推出100 V、7 mΩ、160 APulsed的耐辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018器件都是采用芯片级封装，这与其他商用的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）和IC相同。封装器件将由EPC Space提供。

凭借具备更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更优越的导热性和超低的导通电阻等优势，氮化镓功率元件明显比硅基元件优胜，面向要求严格的航天任务，可以实现更高的开关频率、功率密度、效率以及更小型化和更轻的电路。与硅解决方案相比，基于氮化镓元件的解决方案可以在更高的总辐射量、SEE 和LET水平下工作。

受益于具备优越电气和耐辐射性能的EPC7004的应用包括DC/DC电源、电机驱动、激光雷达、深层探测以及用于航天应用、卫星和航空电子设备的离子推进器。其他耐辐射产品包括40 V至200 V的氮化镓产品可供选择。

EPC公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“ 100 V的EPC7018和EPC7004提供了不同的尺寸/功率权衡并具有超低的导通电阻，让设计工程师在航天应用实现新一代的电源转换解决方案和电机驱动器，在更高的频率、效率和功率密度下工作，这是以前无法实现的。”

EPC7004备有工程样品，并将于2022年12月批量出货。