成本可降90%！日本公布新的AlGaN技术

最近，日本科研机构发布了一项新的AlGaN技术，主要有3个亮点：

1、AlGaN生产成本可降低90%；2、采用低廉溅射设备，不需要MOCVD；3、性能比传统GaN器件更强，AlGaN原型耐压超过1600V。

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截至目前，GaN 、AlGaN 等氮化物半导体的生长均使用传统的金属有机气相生长（MOCVD）法，该方法需要约1000°C的高温且生长率低、成本昂贵，这些因素都阻碍着其广泛应用。
为解决上述问题，东京大学工业科学研究所发开了一种新的低成本合成高质量氮化镓的制造方法——溅射生长法。
7月5日，该所发布消息称，他们已经通过该技术制造了AlGaN晶体管原型，并实现实用化。

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与GaN相比，AlGaN具有更高的介电击穿电阻，然而，AlGaN的电子具有高能态，并且难以从外部注入电子，因此无法形成低电阻电极。但东京大学工业科学研究所称，他们通过新的溅射技术已经可以制作出高实用性的AlGaN晶体管。

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据介绍，该所使用该方法合成一种所谓的简并GaN晶体，它是通过向GaN中导入大量1×1020cm-3以上的硅等杂质，制作了高电子能态的GaN材料，将其与AlGaN接触，可以将电子注入到低电阻的 AlGaN 中，从而成功地制作出一种低电阻高性能的AlGaN晶体管原型。

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该所的Hiroshi Fujioka 教授表示，他们的AlGaN 晶体管有望在未来将取代GaN晶体管，同时其性能也将超过GaN晶体管的极限。通过使用溅射生长法，可以将这种AlGaN 晶体管的生长成本降低至十分之一左右，有可能取代低成本硅基MOSFET。
而且，他们所开发的 AlN/AlGaN-HEMT，有望用于制作高性能电力转换元件和6G通信等下一代无线通信元件。未来，研究小组将优化新器件结构，为产业化落地做准备。