美商务部拟禁止中芯取得14纳米制程设备

中芯国际直到2019年才相较其他竞争对手、姗姗来迟量产14纳米FinFET制程芯片，但外媒传出美国商务部正积极讨论扩大对国内半导体业者出口管制措施，目标锁定禁止出货14纳米以下半导体设备，出货国内业者，此举无疑朝向中芯而来。

据路透(Reuters)、彭博(Bloomberg)报导，相较于美国前总统川普政府商务部，在2020年底对国内半导体业者祭出10纳米制程以下设备禁运令，近期传出拜登政府拟进一步阻止国内半导体先进制程推进速度，计划阻断中芯国际取得14纳米相关设备。

彭博于7月6日披露消息后，路透更于日前取得多达五位熟悉内情的消息人士证实，透露美国商务部正积极进行沙盘推演，如何在不妨碍芯片供货无虞的前提下，力阻国内半导体先进制程推进。

对此，美国商务部发言人虽并未直接针对传闻予以评论，但仍表示商务部定期与其他相关美国官署，针对半导体设备材料相关出口执照申请程序，在考量众多影响出口执照放行等条件包括制程节点等因素下，进移动态管理。

商务部更强调，拜登政府也定期与盟国以及产业界进行沟通，针对如何禁售国内业者取得民用与军用等先进技术管道，充分交换意见。

从外媒揭露以及美国政府官员谈话可知，拜登政府在当前地缘政治情势下，亟欲强化半导体先进制程设备出口管制措施出货国内，并非空穴来风，而彭博日前所指的深紫外光(DUV)微影设备，与路透此番报导的14纳米以下制程设备禁运，其实可说是一体两面。

即便在台积电、三星电子(Samsung Electronics)当前立足7纳米及5纳米制程基础，积极向3纳米推进之际，先进制程的7纳米与5纳米节点，多达上百层光罩曝光层处理，仍有多达过半数以上的光罩层，必须透过DUV设备曝光，而中芯国际14纳米FinFET制程，也有相当多数光罩层曝光关键设备落在DUV系统。

有监于拜登政府出手严控半导体设备出口国内业者的消息，早从2021年12月间开始发酵，至今半年多来，美国政府相关动作不减反增，近期也引发国内外交部发言系统与国内驻美大使发言系统，双双提出警告，表示美国政府此举无疑是督促其他国家降低对美依赖，加快产业自主化脚步，对美国产业毫无益处。

责任编辑：梁燕蕙