国基南方率先实现碳化硅产品批量应用

近日，国基南方宣布其SiC MOSFET首次获得新能源汽车龙头企业大批量订单，赢得碳化硅领域发展先机。

目前，国基南方已在国内建立起第三代半导体碳化硅自主体系，形成了覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测的完整技术布局。碳化硅MOSFET在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域规模应用；宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室运行，作为依托单位建设的国家第三代半导体技术创新中心（南京）正快速推进实体化运行。

据报道，近年来国基南方陆续发布650V-1700V SiC SBD产品，在国内首次实现工程化应用，在充电桩、服务器电源等领域获得大批量使用。2020年国内率先实现6英寸650V-1700V SiC MOSFET量产，同年国内首次实现国产1200V SiC MOSFET批量上车应用，6.5kV-20kV高压SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平国际先进。2022年650V-1200V SiC MOSFET量产，满足60万辆车载应用需求。