ROHM确立栅极耐压高达8V的150VGaNHEMT的量产体制

今日，ROHM宣布已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 (GNE1040TB)”的量产体制。

Source：ROHM

据悉，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。

ROHM的新产品成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。这样，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压*3，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。

此外，该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，这使得安装工序的操作更容易。新产品于2022年3月起开始量产。

Source：ROHM

名古屋大学研究生院工学研究科山本真义教授表示：“今年，日本经济产业省制定了到2030年新建数据中心节能30%的目标，目前距实现该目标只有不到10年的时间。针对未来的这种社会需求，ROHM开发了新的GaN器件，不仅更加节能，而且栅极耐压还高达8V，可以确保坚固型和稳定性。“

”以该系列产品为开端，ROHM通过融合其模拟电源技术‘Nano Pulse Control™’，不断提高各种电源的效率，在不久的将来，应该会掀起一场巨大技术浪潮，推进实现‘2040年在半导体和信息通信行业实现碳中和’的目标。”