三星3纳米量产美媒也兴奋 HVM良率客户动见观瞻

韩联社日前引述消息人士透露，三星晶圆代工(Samsung Foundry)即将在下周宣布3纳米GAA制程量产后，已有美国科技媒体对于三星电子(Samsung Electronics)能够率半导体产业之先，超前台积电、英特尔(Intel)长达2~3年、优先转入GAA晶体管设计，而感到兴奋不已。但三星下周究竟能给出什麽样的3纳米宣言，各界都在观察。

据ExtremeTech、Notebook Check报导，相较于台积电2022下半年导入3纳米FinFET制程量产时程，英特尔也将在2023下半年采用优化FinFET架构、量产3纳米时代(Intel 3)，提供外部客户投片，而英特尔与台积电2厂分别将在2024、2025年才会转入纳米片或纳米线等GAA晶体管架构。

尤其是先前韩媒爆料三星3纳米良率偏低仍介于10~20%之间，如今又在三星副会长李在熔欧洲行之后，传出将在6月底前宣布3纳米正式量产，特别是这个量产3纳米GAA制程的三星晶圆厂，还受到美国总统拜登5月间访韩加持，三星3纳米量产在全球媒体的曝光度，不仅在科技媒体发酵。

从半导体产业的推进角度而言，美国科技媒体相当兴奋三星能够领先英特尔、台积电数年之久，提早在2022上半年推进到3纳米GAA晶体管设计，这也能解决FinFET晶体管设计发展十余年以来，随着10纳米以下先进微缩制程量产后，陆续浮现的问题。

尽管三星2022年第一代3纳米制程3GAE，预计多以量产三星自家芯片设计为试金石，但美国科技媒体也不讳言给予正面肯定表示，假使三星3纳米GAA制程良率足以推进到商业量产，也就是业界所谓的HVM(大量生产制造；high volume manufacturing)阶段，可望在晶圆代工竞局中大步前进。

尽管不少台积电客户以及英特尔在内，都偏向采用稳健策略、先以3纳米FinFET制程为优先导入，无论是台积电N3以及英特尔锁定外部客户投片的Intel 3制程，仍继续采优化FinFET晶体管架构，但三星此举也让不少科技观察者欣喜韩国IDM大厂如此大跃进的作法。

只不过，随着三星3纳米量产的全球曝光度变高，各界对于三星下周宣布正式量产的期待值，也水涨船高，相对地也给三星带来更大压力。如今，各界都在睁大眼睛看：究竟三星下周会给出一个什麽样的3纳米宣布？

责任编辑：梁燕蕙