台达电力拱碇基半导体 抢进第三类宽能隙材料

电源供应系统龙头台达电集团日前宣布，将出资新台币3.2亿元成立合资公司「碇基半导体筹备处」，台达电也将是合资公司最大股东。各界解读，此布局将锁定第三类半导体包括如碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等领域。

事实上，台达电对于第三类半导体并不陌生，有许多知名功率半导体IDM龙头如英飞凌(Infineon)、Wolfspeed(原Cree)等早已与台达电有所合作，台达电不少产品都采用IDM大厂功率元件。

尽管如此，供应链业界也传出台达电本身内部也积极布局第三类半导体本身的研发，且行之有年。台达电日前公告，合资成立子公司「碇基半导体筹备处」，台达电持股80%，其余10%持股则由初创员工参与投资持有，另10%由另一台达电子公司投资。

第三类半导体具有宽能隙特性，GaN可用在消费电子快充，也有无线通讯(RF)端的应用，至于SiC因具有较好的耐热性，更适用于充电桩、电动车(EV)等领域，高频、高功率、耐高温为一大特色，未来走向纯电动车(BEV)时代，SiC的重要性更为提升，各界也期待早日来到价格甜蜜点。

各界预期，后续碇基半导体的发展空间，也不会仅限于台达电本身，也有机会有更广大的市场。

责任编辑：张兴民