南亚科3,000亿元新厂动土 2025年起投片量产

为因应未来市场需求及扩大台湾DRAM产业的发展，存储器厂南亚科技斥资新台币3,000亿元兴建的12寸双层无尘室新厂举移动土典礼，未来分3阶段进行投资扩建，第一阶段将于2025年装机投产，将采自主研发的10纳米制程技术生产，月产能共4.5万片，未来将提供3,000个工作机会。

动土典礼由台塑企业总裁王文渊及南亚科技董事长吴嘉昭主持，总统蔡英文、新北市侯友宜市长、行政院沈荣津副院长等约320人应邀出席。蔡英文指出，南亚科启动自主研发10纳米级DRAM技术，是台湾高科技产业强化自主研发能力重要一步，可以说护国神山再加一座，将带动台湾半导体产业重要发展。

南亚科规划的新厂基地包含「主厂房」、「研发大楼」及「水资源再生中心」，同时也将兴建EUV极紫外光微影设备独立厂房，以因应未来先进制程导入的需求，并采用自主研发的10纳米级(1A, 1B, 1C, 1D)制程技术生产DRAM芯片，将运用「AI智能制造」技术，全面提升制程效率。

台塑企业王文渊总裁表示，DRAM是关键的零组件，即使历经2007~2012年DRAM市场剧烈变动和2008年全球金融海啸等难关，台塑企业仍全力支持南亚科技挺过逆境，替台湾保留电子产业关键零组件的技术。

DRAM技术更迭快速，若无研发自主，技术及扩产将无法自我掌控，为能完全摆脱营运枷锁，南亚科技经过不断的创新与研发，已成功开发出新时代10纳米级存储器技术，代表台湾正式掌握DRAM半导体世界一流的先进技术能力。

南亚科技吴嘉昭董事长表示，为了掌握DRAM关键技术，南亚科技5年来研发经费增加3倍，研发人力也扩充至千人规模，全球累计专利数超过5,000件。10纳米级第一代1A技术及产品预计于2022年下半量产，第二代1B技术及产品已进入试产，并已展开第三代1C技术以及应用于1D的EUV 技术研发工作。

南亚科总经理李培瑛表示，新厂规划分三阶段进行扩建，未来将以1B作为第一个制程技术，很快将转入1C制程，预计在新厂建设完成后，第一阶段的机台少被即将准备就绪，接下来将依照客户与市场发展陆续推动第二阶段量产，新厂月产能可达到4.5万片晶圆，预计2025年开始装机投片量产，晶粒位元产出成长将达120%，每年预估可创造超过700亿元产值。

南亚科的节能措施近5年累计节电达5830万度，制程水回收率达到90.8%，布局再生能源未来10年总量2.5亿度太阳能，未来新厂，将以绿建筑标准及智能建筑规划，带动DRAM产业链迈向绿色生产。

面对2050净零转型，蔡英文也鼓励国内大型企业，尤其像台塑集团龙头企业，能把低碳、零碳挑战转化为商机。不仅是制程优化，能源转换，甚至是再生能源、储能设备加速投资，都要扮演领头角色，带动上、下游供应链更进步。

责任编辑：朱原弘