三星3纳米陷量产疑云 如期或延后众说纷纭

韩国业界多认为，三星电子(Samsung Electronics)即将于下周宣布3纳米环绕式闸极(GAA)制程量产，不过近日业界仍有消息传出，这项计划有可能延后，三星追赶台积电大计恐怕受挫。

韩媒东亚日报引述三星相关人士说法，指三星原计划2022年上半量产3纳米GAA制程，但这几乎不可能实现，主因在于良率太低，甚至连第3季量产也有困难，推测三星3纳米2022年底前或2023年第1季量产。

不过与此同时，韩联社也引述业界消息，指三星仍计划6月底之前，宣布3纳米GAA制程量产，抢先拿下业界第一头衔。韩联社引述三星消息人士说法，指三星3纳米量产如期进行中。

4月底三星公布第1季财报时强调，将于2022年第2季量产全球首个3纳米GAA制程，时隔不到2个月，三星这项量产计划却陷入可能生变疑云。业界人士认为，三星如按计划，正式发表3纳米量产消息，表示在某种程度上，三星3纳米制程良率已获改善。

三星如顺利领先台积电，率先宣布3纳米量产，其重要性在于向客户展示，三星在技术进程上超车台积电，此也有助于三星强化晶圆代工市场地位。另一方面，三星如要缩小与台积电的差距，未来3纳米制程能否有稳定良率，恐怕也是一大关键。

综观三星3纳米制程良率，似乎一直低于设定目标，这也意味距离实际可量产水准，仍有一段距离。稍早5月，传三星3纳米良率不及30%，各界纷纷质疑三星能否如期量产3纳米。但之后又有消息，指三星经营高层向董事会报告3纳米良率顺利改善中；也有传言指出，三星2022年将率先进入3纳米初期制程3GAE，但主要仍是用于自家半导体，而非外部客户产品。

先前美国总统拜登(Joe Biden)造访韩国，首站便是与韩国总统尹锡悦，参访三星平泽半导体工厂，三星即将领先量产3纳米一事，也在韩国业界造成不小话题。三星的竞争对手台积电，目前计划2022年下半量产3纳米FinFET，2纳米才会导入GAA技术。

尽管三星、台积电已进入4纳米制程商用化，但4纳米制程良率杂音也没断过。高通(Qualcomm)Snapdragon 8 Gen 1先采三星4纳米制程生产，传由于良率过低，新版本产品便转单台积电。此外，最近苹果(Apple)M2芯片引起关注，但M2芯片传采用台积电第二代5纳米制程，而非最先进的4纳米制程。

责任编辑：张兴民