厚度32mm！国产SiC兼程并进

昨天（6月17日），科友半导体宣布，他们的实验线传出了好消息——6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，“达到业内领先水平”。

今年以来，科友的碳化硅晶体厚度进展喜人——2月，突破20mm；4月，突破28mm；昨天成功突破32mm。

据悉，科友半导体从2018年成立伊始就致力于半导体技术和产业的自主创新，目前，他们自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。

2021年11月，哈尔滨新区报报道曾指出，科友半导体已完成6英寸第三代半导体衬底制备，正在进行8英寸衬底研制。

在产业化方面，2021年10月，科友半导体产学研聚集区项目一期在建的生产车间大楼封顶并进行二次结构砌筑。据悉，一期生产车间大楼建成后将铺设100台套设备。项目全部达产后，最终形成年产碳化硅衬底近10万片，高纯半绝缘晶体1000公斤的产能；PVT-SiC晶体生长成套设备年产销200台套。

据悉，预计科友的生产车间、办公楼及展示厅将于今年7月份全部交工验收，8月正式投产。