工研院与台积电、阳明交大 在VLSI发表顶尖磁性记忆体技术

工研院在今（15）日宣布，与台积电合作开发世界前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片；另外，工也携手国立阳明交通大学，研发出工作温度横跨近400度之新兴磁性记忆体技术。此两项技术都在「超大型积体技术及电路国际会议」（VLSI）发表，可望加速产业跻身下世代记忆体技术，维持台湾半导体的领先地位。

工研院与台积电开发「自旋轨道扭矩磁性记忆体阵列晶片」，以及与阳明交大合作研发新兴磁性记忆体技术。

经济部技术处指出，制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势，在此趋势之下，磁阻式随机存取记忆体（MRAM）具有可微缩至22奈米以下的潜力，而且拥有高读写速度、低耗电，断电后仍可保持资料特性，特别适用于嵌入式记忆体的新兴领域。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM有媲美静态随机存取记忆体（Static Random Access Memory；SRAM）的写入、读取速度，兼具快闪记忆体非挥发性，近年来已成为半导体先进制程、下世代记忆体与运算的新星。记忆体若在高写入速度的前提下，使用的电压电流越小，则代表效率越高。

工研院携手台积电共同发表具备高写入效率与低写入电压SOT-MRAM技术，并达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写之高耐受度，比imec多一百倍，还有超过10年资料储存能力等特性的技术，未来可整合成先进制程嵌入式记忆体，在AI人工智慧、车用电子、高效能运算晶片等领域具有极佳的前景。

此外，工研院与长期密切合作的国立阳明交通大学，今年也在VLSI共同发表新兴磁性记忆体的高效能运作技术。优化自旋转移矩磁性记忆体（Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM）的多层膜与元件，提高写入速度、缩短延迟、降低写入电流与增高使用次数等特色，在127度到零下269度范围内，具有稳定且高效能的资料存取能力，工作温度横跨近400度的多功能磁性记忆体是首次被实验验证，未来在量子电脑、航太领域等前瞻应用与产业上潜力强大。