GF实验室成立 加速差异化半导体技术

倚赖自身在数码、类比、混合信号、射频(RF)与嵌入式存储器的技术与专利，晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries；GF)日前发布GF实验室(GF Labs)硬件创新计划，针对光子、量子运算与无线等领域，与产官学各界夥伴合作，以宽能矽半导体技术为基础，超越晶体管微缩传统途径的限制，并透过扩大旗下解决方案组合内容，帮助客户开发创新性产品与加速上市时程。

综合eeNews Europe与New Electronics报导，在欧洲追求将绝缘层上覆矽(SOI)技术推进至10纳米的背景下，法国高效能半导体材料业者Soitec透露，与GF在先进RF-SOI与FD-SOI载板发展上的紧密合作案例，一直是各时代移动连接标准导入领先性解决方案的榜样。英国先进磊晶晶圆业者IQE则指出，双方在氮化镓(GaN)技术上的合作，加快差异化技术平台的演进，促成智能移动设备、无线基础建设、功率电子与下一代显示器的发展。

比利时微电子研究中心(Imec)表示，与GF携手多方面促进技术创新，已历时超过10年，未来也将在先进半导体研发上持续合作。此次GF实验室的成立，将促成未来更智能化、直观、更紧密连结、安全、更强大与能效更高的技术解决方案的诞生。

GF透过22FDX(22纳米FD-SOI)等创新性平台与装置架构，协助下一代矽光平台GF Fotonix的发展。GF实验室也将开发RF-SOI与矽锗(SiGe)技术。加拿大AI应用光子互连技术业者Ranovus开发的Odin矽光平台，即结合GF Fotonix制程，针对数据中心应用，发展高密度光学互连技术。Ranovus希望发展节省空间与能源成本的特定应用光学引擎，满足数据中心流量大幅成长所衍生的需求。

此外，GF一直以来与高通(Qualcomm)及美国加州大学圣地牙哥分校合作开发RF技术。校方评论，GF的技术，让5G毫米波的实现成为可能，作为例证，45RSOI与22FDX制程已经获得5G与卫星通讯相关业者的广泛采用；GF亦着手建立6G领域的主导性地位，双方正利用FD-SOI、RF-SOI与SiGe优势，携手突破技术极限。

GF实验室将打造内外部研发倡议开放式框架，为未来以数据为中心的连线、智能与安全应用，提供市场导向的制程技术解决方案差异化管道。GF指出，促进半导体创新，对于差异化技术产品组合的开发，乃至持续驱动新兴领域的发展，至关重要。

责任编辑：张兴民