浪涌电流超12倍！国产车规SiC又一突破

众所周知，抗浪涌冲击性能是评估碳化硅二极管高电流可靠性的关键参数。SiC JBS二极管具有电流密度高、芯片面积小的优点，但通常也存在高电流下可靠性问题。为了提高二极管的抗浪涌冲击能力，通常业界会对JBS进行结构优化，比如开发出 MPS产品。

但是，最近，蓉矽半导体宣布实现技术突破，他们量产的增强型SiC JBS，正向浪涌超过额定电流12倍，抗浪涌电流能力堪比SiC MPS。这款产品可以为光伏、充电桩、DC-DC变换器和OBC等领域带来哪些好处？性价比如何？6月30日，蓉矽将以“线下发布会+线上同步直播”的形式举办交流会，进行深入介绍，详情请看文末海报。1200V EJBS量产
抗浪涌能力堪比MPS蓉矽半导体已经量产了1200V的碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列。
据介绍，EJBS全称是增强型结势磊肖特基二极管（Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)，它通过器件结构与工艺优化，获得了超低漏电，而且抗浪涌电流能力与类似SiC MPS等同。蓉矽表示，他们的EJBS具有自主知识产权。      

具体来说，这款产品的正向浪涌超过额定电流12倍，在20A时，VF仅有1.37V，且漏电极低(2μA)， 具有多种封装形式可以选择，产品应用在太阳能光伏、充电桩与工业电机逆变器、DC-DC变换器和OBC等领域。

NovuSiC® EJBS™产品列表（部分）

蓉矽半导体CTO高博士告诉“三代半风向”：“我们始终坚持产品自主研发，立足市场需求，专注提升产品性能，第一代1200V 碳化硅二极管让我们感到满意但不满足。公司成立两年来，我们克服了疫情影响，始终专注于碳化硅二极管和MOS的产品的研发、测试工作，不断突破技术难点，优化器件结构，提升工艺水平，取得了一系列突破性进展，现在看来，一切都是值得的。” 蓉矽半导体CEO戴茂州表示：“我们希望从市场应用场景出发，开发符合客户应用需求的高性能，高可靠性的产品，而不仅是推出没有明确目标与应用场景的通用型产品。让产品的性能数据说话，让产品的稳定质量与稳定供货说话，让蓉矽成为一家值得客户信赖的国产碳化硅器件公司是我们的行为标杆与使命。”

SiC MOS六月量产将举办新品发布会据介绍，蓉矽半导体成立于2019年12月，是四川省首家专注于碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业。
他们拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。目前，蓉矽有两个碳化硅系列产品，分别为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列，涵盖碳化硅EJBS二极管与碳化硅MOSFET。2021年蓉矽已经量产了SiC MOSFET的工程批投片。未来，蓉矽表示，他们将继续加大研发投入，继续研发1700V、3300V 车规级碳化硅二极管、MOSFET和碳化硅模块，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。同时，蓉矽还独立设计开发硅基产品，包括175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）和FRMOS（Fast Recovery MOSFET)，广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。据了解，蓉矽MCR系列产品拥有自主知识产权，实现了nA级漏电，它是一款具有高耐压、超低漏电、低导通压降和高结温性能的理想硅基二极管，可应用在工业电源、便携式储能、光伏等领域，目前市场表现火热。