ASML：高数值孔径EUV原型机2023上半年完成

英特尔(Intel)CEOPat Gelsinger多次宣称要在2024~2025年间胜出台积电、重回半导体先进制程领先地位，更宣称将抢先导入ASML新时代之高数值孔径(high-NA)极紫外光(EUV)扫描机，根据ASML高层透露，原型机预计在2023上半年完成，但最快也要从2024年才能出货。

据路透(Reuters)、彭博(Bloomberg)报导，ASML新时代高数值孔径EUV曝光机，目前还在研发阶段，这一套设备恐将飙上天价一台4亿美元，新设备精密度更高，设计零件更多，机型比前一代还要大出3成，重量超过200公吨的双层巴士大小，至少需要3架波音747飞机分批运送。

ASML表示，高数值孔径EUV微影设备，降低了半导体制程的复杂度，预计在单一曝光EUV制程上，可望比多重曝光EUV制程撙节更大幅度的光罩成本支出，这也是何以英特尔从一开始便力主跳过EUV双重曝光甚至多重曝光技术，直接导入高数值孔径EUV系统的原因。

ASML负责EUV部门的主管Christophe Fouquet表示，尽管目前仍具挑战，但公司正与IMEC合作在ASML工厂建立测试实验室，协助ASML与其供应商及客户探索机器特性，预计可以提早1年的开发时间，但他表示，目前最大的挑战仍在于供应链缺口。

该公司估计，2021年第四季高数值孔径EUV系统测试机型(pilot machine)已有5台订单在手，预计2024年交付，另外还有5个来自不同客户超过5笔订单，用于生产更快的量产机型(production model)，预定从2025年开始出货，也因此，业界采用高数值孔径EUV系统导入商业化量产，应该是2025年以后。

台积电、三星电子(Samsung Electronics)从2022~2023年量产3纳米制程起，由于ASML新时代EUV系统最快也要等到2024年才能交付装机，因此3纳米还来不及采用High-NA系统，但也预计在EUV双重曝光过渡期之后拥抱high-NA EUV系统，约在2025~2026年重回EUV单一曝光程序之行列。

责任编辑：梁燕蕙