美光发布首款232层3D TLC NAND

美光(Micron)公布业界首款采用3D TLC架构的232层NAND Flash，容量达1Tb(128GB)，计划在2022年底开始逐步提升产量，将应用在包括固态硬盘(SSD)等多款产品中。

Tom’s Hardware报导，美光新款3D NAND Flash采CuA(CMOS under the Array)架构，并使用NAND多串堆叠(string stacking)技术，将两个NAND阵列彼此堆叠。这种CuA架构加上层数高达232层的设计，有助于美光大幅缩小1Tb 3D TLC NAND存储器裸芯片的尺寸，因而得以降低制造成本。

美光未透露新产品的I/O速度，只暗示相较现有3D NAND装置的效能更高，因此对于下一代采用PCIe 5.0界面的SSD来说特别有用。另外，功耗相较前一代节点也较低，有利移动设备的应用。

美光技术与产品执行副总Scott DeBoer表示，持续与公司内部的开发人员及第三方NAND控制器业者紧密合作，支持新型存储器的开发，并指出美光232层3D NAND技术，是以全球速度最快的managed NAND、乃至数据中心与客户级SSD产品作为方向，进行最佳化开发。

无论是内部还是外部形式，控制器的导入一直是美光垂直产品整合的重点所在，希望透过NAND与控制器技术的最佳化，促成未来业界领先性产品的问世。

责任编辑：朱原弘