河北优迈半导体CMP用超高纯纳米研磨颗粒研发与产业化项目开工

5月10日，河北临城县举行的2022年二季度重点项目集中开工仪式。县领导张勇、李凯军、王临红、吕玉峰、代立锋、刘胜民、张喜振等领导出席参加活动。优迈（河北）电子材料有限公司项目负责人吴诚作为企业代表发言。

优迈（河北）电子材料有限公司隶属于优士科电子科技有限公司，即将投产的“半导体CMP用超高纯纳米研磨颗粒研发与产业化”项目，是立足半导体材料，打破国外巨头垄断，填补国内空白，解决“卡脖子”的关键材料的产业化项目。本项目核心技术成果来源于优士科的自主研发，经过近10年的技术研发及产业化拓展，已形成成熟的工业化技术体系，目前已授权的纳米超高纯硅溶胶相关专利20余项，PCT国际专利及台湾专利均已申报。项目负责人作为关键技术方完成了《半导体CMP***工程化研制》(国防科工重大专项保密项目)，已建成一条完整的纳米超高纯硅溶胶中试线，并顺利完成验收。

 

优迈作为此次开工仪式中的省重点前期项目，将认真落实、做好疫情防控和施工安全前提下，坚持“晴天猛干、小雨大干、挑灯夜干”，争分夺秒赶进度、一丝不苟抓安全，力争在主汛期到来前完成基础建设，确保项目早竣工、早投产、早达效。转石家庄优士科

CMP技术是什么?

CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。

其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。

化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺：

• 化学腐蚀 – 抛光液：首先是介于工件表面和抛光垫之间的抛光液中的氧化剂、催化剂等于工件表面材料进行化学反应，在工件表面产生一层化学反应薄膜；

  
  

• 机械摩擦 – 抛光垫：然后由抛光液中的磨粒和由高分子材料制成的抛光垫通过机械作用将这一层化学反应薄膜去除，使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应。

  
  

整个过程是化学作用与机械作用的交替进行，最终完成对工件表面的抛光，速率慢者控制抛光的速率。

CMP包括三道抛光工序，主要运用到的材料包括抛光垫、抛光液、蜡、陶瓷片等。不同工序根据目的的不同，分别需要不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等、CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素，二者的性质影响着表面抛光质量。

而在CMP环节之中，也存在着各式不同的类别，例如钨/铜及其阻挡层铝、STI、ILD 等。STI即浅沟槽隔离层，他的作用主要是用氧化层来隔开各个门电路，使各门电路之间互不导通。STICMP这就是将晶圆表面的氧化层磨平，最终正好使SIN暴露出来。

OxideCMP包括了ILDCMP及IMDCMP，主要是将氧化硅（Oxide）磨平至一定厚度，实现平坦化。

在钨、铜、Poly等各CMP环节之中，其实本质上都是将电门之间的缝隙填充完后，对于不同部分的研磨，使晶圆表面实现平坦化或者使需要暴露出来的材质正好暴露在外。